[發明專利]一種寬頻帶、大電感值、高Q值且Q值可獨立調節的有源電感有效
| 申請號： | 201810697165.7 | 申請日： | 2018-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN108900175B | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 張萬榮;楊鑫;謝紅云;金冬月;徐曙;張崟;張昭 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H03H11/36 | 分類號： | H03H11/36 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寬頻 電感 獨立 調節 有源 | ||
1.一種寬頻帶、大電感值、高Q值且Q值可獨立調節的有源電感，其特征在于，包括：第一跨導單元(1)，第二跨導單元(2)，頻帶拓展單元(3)，可調分流單元(4)，反饋單元(5)；
所述第一跨導單元(1)包括第五N型MOS晶體管(M5)、第六N型MOS晶體管(M6)和第七P型MOS晶體管(M7)；第二跨導單元(2)包括第一N型MOS晶體管(M1)和第二N型MOS晶體管(M2)；頻帶拓展單元(3)包括第三N型MOS晶體管(M3)和第四N型MOS晶體管(M4)；可調分流單元(4)為第八N型MOS晶體管(M8)；反饋單元(5)包括第九N型MOS晶體管(M9)和第十P型MOS晶體管(M10)；
所述有源電感的輸入端(RFin)同時連接第一N型MOS晶體管(M1)的漏極、第二N型MOS晶體管(M2)的源極和第四N型MOS晶體管(M4)的柵極；第一N型MOS晶體管(M1)的柵極同時連接第五N型MOS晶體管(M5)的漏極、第六N型MOS晶體管(M6)的源極、第八N型MOS晶體管(M8)的漏極和第九N型MOS晶體管(M9)的柵極；第一N型MOS晶體管(M1)的源極連接地端；第二N型MOS晶體管(M2)的漏極與VDD相連；第二N型MOS晶體管(M2)的柵極同時與第六N型MOS晶體管(M6)的漏極和第七P型MOS晶體管(M7)的漏極相連；第三N型MOS晶體管(M3)的漏極同時與第三N型MOS晶體管(M3)的柵極、第四N型MOS晶體管(M4)的源極和第五N型MOS晶體管(M5)的柵極相連；第四N型MOS晶體管(M4)的漏極與VDD相連；第五N型MOS晶體管(M5)的源極連接地端；第六N型MOS晶體管(M6)的柵極同時與第九N型MOS晶體管(M9)的漏極和第十P型MOS晶體管(M10)的漏極相連；第七P型MOS管(M7)的源極連接VDD；第七P型MOS晶體管(M7)的柵極和第十P型MOS晶體管(M10)的柵極與第一可調電壓源(Vtune1)相連；第八N型MOS晶體管(M8)的柵極與第二可調電壓源(Vtune2)相連；第八N型MOS晶體管(M8)的源極連接地端；第九N型MOS晶體管(M9)的源極連接地端；第十P型MOS晶體管(M10)的源極連接VDD。
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