[發明專利]一種二硒化鈮薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201810697016.0 | 申請日： | 2018-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN109137030A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 楊海峰;啟迪;周毅平;付文文;李盈盈;胡曉柯;張偉英;趙建果;范一丹 | 申請（專利權）人： | 洛陽師范學院 |
| 主分類號： | C25D9/08 | 分類號： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 杭州千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人： | 單燕君 |
| 地址： | 471022 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二硒化鈮 制備 薄膜 薄膜制備技術 一步法制備 電化學法 反應條件 施加電壓 電沉積 晶形 取向 沉積 | ||
1.一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，采用電化學法在ITO基片上沉積而成；施加電壓為30-80V。
2.根據權利要求1所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
（1）將50mg的NbSe2粉末于離心管中，加入乙醇，并且攪拌使粉末均勻分散；
（2）將分散液超聲處理20min以上；
（3）將離心管置于離心機中離心處理7min以上；
（4）在離心后的上清液中加入20mg碘；
（5）然后再超聲15min；
（6）然后將該超聲后的上清液放入45-53℃的恒溫水浴中；
（7）采用丙酮和去離子水依次清洗ITO基片至少兩次，將超聲后的液體作為電解液，將ITO基片連接直流穩壓電源負極，金屬鉑片連直流穩壓電源正極，在30V-80V電壓下鍍膜；沉積時間為10-30min；
（8）鍍膜完成后，去離子水清洗ITO基片，并放入干燥箱中50-80℃下進行干燥。
3.根據權利要求2所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中加入穩定劑，穩定劑為丙酮或聚乙烯吡咯烷酮。
4.根據權利要求3所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，穩定劑的加入量為乙醇的3%-5%。
5.根據權利要求2所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，NbSe2粉末粒徑小于1000目。
6.根據權利要求2所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中加入5-20mm的乙醇。
7.根據權利要求2所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，調整步驟（7）中的pH為8-9。
8.根據權利要求2所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（7）的電壓為50-55V。
9.根據權利要求2所述的一種二硒化鈮薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中加入碘化鉀5mg。
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