[發(fā)明專利]一種缺陷檢測(cè)裝置及缺陷檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810696844.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110658196B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊曉青;申永強(qiáng);韓雪山;王帆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 缺陷 檢測(cè) 裝置 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種陷檢測(cè)裝置及缺陷檢測(cè)方法。該缺陷檢測(cè)裝置包括照明模塊和成像檢測(cè)模塊;照明模塊用于產(chǎn)生探測(cè)光束,并使探測(cè)光束入射至待測(cè)產(chǎn)品的檢測(cè)面上;成像檢測(cè)模塊用于檢測(cè)探測(cè)光束是否經(jīng)待測(cè)產(chǎn)品的檢測(cè)面散射產(chǎn)生散射成像光束,并根據(jù)散射成像光束確定待測(cè)產(chǎn)品的缺陷信息;探測(cè)光束的照度滿足:(U1×R)/(U2×L)≥S1;探測(cè)光束的半寬W滿足:d×[tanα+tanβ]>FOV/2+W。本實(shí)施例通過(guò)確定探測(cè)光束的半寬邊緣與探測(cè)光束的中心之間的相對(duì)照度和探測(cè)光束的半寬確定照明模塊產(chǎn)生的探測(cè)光束,以達(dá)到抑制缺陷檢測(cè)過(guò)程中產(chǎn)生的串?dāng)_,提高缺陷檢測(cè)精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及缺陷檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種缺陷檢測(cè)裝置及缺陷檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體集成電路或平板顯示的制備工藝中,為使產(chǎn)品保持較高的良率,在對(duì)掩模版或玻璃基板等進(jìn)行曝光前,都需要進(jìn)行缺陷(包括外來(lái)顆粒、指紋、劃痕、針孔等)檢測(cè),以達(dá)到控制污染的目的。
圖1是現(xiàn)有的一種缺陷檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,一般集成在光刻設(shè)備中的顆粒檢測(cè)裝置通常采用暗場(chǎng)散射測(cè)量技術(shù),其檢測(cè)原理如圖1所示,從光源10發(fā)出的照明光線101經(jīng)待測(cè)物體104上的缺陷114散射,散射光線102最終被探測(cè)器103所探測(cè),然后根據(jù)探測(cè)器103檢測(cè)到的散射光線確定缺陷的尺寸大小。
但現(xiàn)有的缺陷檢測(cè)裝置在缺陷檢測(cè)的過(guò)程中,待測(cè)產(chǎn)品的下表面圖案容易產(chǎn)生串?dāng)_信號(hào),影響缺陷檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種缺陷檢測(cè)裝置及缺陷檢測(cè)方法,以實(shí)現(xiàn)抑制缺陷檢測(cè)過(guò)程中產(chǎn)生的串?dāng)_。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種缺陷檢測(cè)裝置,包括照明模塊和成像檢測(cè)模塊;
所述照明模塊用于產(chǎn)生探測(cè)光束,并使所述探測(cè)光束入射至待測(cè)產(chǎn)品的檢測(cè)面;
所述成像檢測(cè)模塊用于檢測(cè)所述探測(cè)光束是否經(jīng)所述待測(cè)產(chǎn)品的檢測(cè)面散射產(chǎn)生散射成像光束,并根據(jù)所述散射成像光束確定所述待測(cè)產(chǎn)品的缺陷信息;
其中,所述探測(cè)光束的照度滿足:(U1×R)/(U2×L)≥S1;其中,S1為抑制所述待測(cè)產(chǎn)品的非檢測(cè)面的串?dāng)_需要滿足的信噪比,U1為所述探測(cè)光束的中心照度,R為最小可檢測(cè)缺陷在可被接收角度內(nèi)對(duì)光線的散射效率,U2為所述探測(cè)光束的半寬邊緣的照度,L為所述非檢測(cè)面上的最大串?dāng)_物在可被接收角度內(nèi)對(duì)光線的散射效率;
所述探測(cè)光束的半寬W滿足:d×(tanα+tanβ)>FOV/2+W;
其中,d為所述待測(cè)產(chǎn)品的厚度;FOV為所述成像檢測(cè)模塊的有效視場(chǎng);α為探測(cè)光束在所述待測(cè)產(chǎn)品中的折射角,β為所述散射成像光束在所述待測(cè)產(chǎn)品中的折射角。
進(jìn)一步地,所述探測(cè)光束的照度還滿足:(U1×R)/(U2×M×N)≥S2;其中,S2為抑制鏡像串?dāng)_需要滿足的信噪比,M為所述探測(cè)光束在鏡像串?dāng)_區(qū)域內(nèi)沿鏡像串?dāng)_方向的散射效率,N為所述照明視場(chǎng)光線在鏡像串?dāng)_方向的散射光線在所述待測(cè)產(chǎn)品內(nèi)的反射率;
所述探測(cè)光束的半寬W還滿足:2d×tanθ-FOV/2≥W,其中,θ為所述探測(cè)光束在鏡像串?dāng)_方向的散射光線在所述待測(cè)產(chǎn)品中的折射角。
進(jìn)一步地,所述探測(cè)光束的主光線的角度偏差小于5°;
所述散射成像光束的主光線的角度偏差小于5°。
進(jìn)一步地,還包括:
水平運(yùn)動(dòng)模塊;
所述水平運(yùn)動(dòng)模塊用于承載所述待測(cè)產(chǎn)品沿平行于所述待測(cè)產(chǎn)品的檢測(cè)面的方向運(yùn)動(dòng)。
進(jìn)一步地,還包括:
焦面測(cè)量模塊和垂直運(yùn)動(dòng)模塊;
所述焦面測(cè)量模塊用于檢測(cè)所述待測(cè)產(chǎn)品的檢測(cè)面的離焦量;
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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