[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810696342.X
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN108899327B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 張鑫;肖軍城;田超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 袁江龍

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示器。通過這種方法，本發(fā)明使得像素電極層、柵極圖案層及摻雜型多晶硅層通過一道掩膜工藝即可形成，相比于現(xiàn)有技術中，像素電極層、柵極圖案層及摻雜型多晶硅層的三層結構至少需要三道掩膜工藝，減少了掩膜工藝的步驟，從而減少了光罩的使用數(shù)量，降低生產成本，節(jié)省生產時間。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示器。

背景技術

低溫多晶硅(Low temperature poly-silicon，簡稱LTPS)，由于其具有高的電子遷移率，可以有效的減小TFT的器件的面積，從而提升像素的開口率。增大面板顯示亮度的同時可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低，目前已成為液晶顯示領域炙手可熱的技術。

但是LTPS工藝復雜，陣列基板陣列成膜的膜層較多，一般需要10層甚至是更多的層別結構，從而導致使用的光罩數(shù)量較多，這樣較多的光罩數(shù)量，增加了光照成本、物料和運營成本，且導致生產時間較長。

發(fā)明內容

本發(fā)明主要是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示器，旨在解決陣列基板成膜過程中使用的光罩數(shù)量較多而成本較高的問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是：提供一種陣列基板的制備方法，所述方法包括：通過第一道掩膜工藝在襯底基板上形成多晶硅層；形成覆蓋所述多晶硅層的柵極絕緣層，并通過第二道掩膜工藝形成像素電極層、柵極圖案層及摻雜型多晶硅層；形成覆蓋所述柵極圖案層及所述像素電極層的介電層，并通過第三道掩膜工藝形成連通所述像素電極層的第一過孔及分別連通所述摻雜型多晶硅層兩端的第二過孔及第三過孔；通過第四道掩膜工藝形成源極圖案層及漏極圖案層，所述源極圖案層通過所述第二過孔與摻雜型多晶硅層的一端連接，所述漏極圖案層分別通過所述第一過孔及所述第三過孔與所述像素電極層及所述摻雜型多晶硅層的另一端連接。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：在襯底基板上形成的摻雜型多晶硅層；覆蓋所述摻雜型多晶硅層的柵極絕緣層；依次形成于所述柵極絕緣層上的像素電極層及柵極圖案層；覆蓋所述柵極圖案層及所述像素電極層的介電層，所述介電層上形成有連通所述像素電極層的第一過孔及分別連通所述摻雜型多晶硅層兩端的第二過孔及第三過孔；形成于所述介電層上的源極圖案層及漏極圖案層，所述源極圖案層通過所述第二過孔與摻雜型多晶硅層的一端連接，所述漏極圖案層分別通過所述第一過孔及所述第三過孔與所述像素電極層及所述摻雜型多晶硅層的另一端連接。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的又一個技術方案是：提供一種顯示器，所述顯示器包括上述的陣列基板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法包括：通過第一道掩膜工藝在襯底基板上形成多晶硅層；形成覆蓋多晶硅層的柵極絕緣層，并通過第二道掩膜工藝形成像素電極層、柵極圖案層及摻雜型多晶硅層；形成覆蓋柵極圖案層及像素電極層的介電層，并通過第三道掩膜工藝形成連通像素電極層的第一過孔及分別連通摻雜型多晶硅層兩端的第二過孔及第三過孔；通過第四道掩膜工藝形成源極圖案層及漏極圖案層，源極圖案層通過第二過孔與摻雜型多晶硅層的一端連接，漏極圖案層分別通過第一過孔及第三過孔與像素電極層及摻雜型多晶硅層的另一端連接。通過這種方法，使得像素電極層、柵極圖案層及摻雜型多晶硅層通過一道掩膜工藝即可形成，相比于現(xiàn)有技術中，像素電極層、柵極圖案層及摻雜型多晶硅層的三層結構至少需要三道掩膜工藝，減少了掩膜工藝的步驟，從而減少了光罩的使用數(shù)量，降低生產成本，節(jié)省生產時間。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：