[發(fā)明專(zhuān)利]一種新型制備薄膜的裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810696065.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108624854B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓偉丹 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海祖強(qiáng)能源有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/35;C23C14/24;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京正和明知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 申婕 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)中*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 制備 薄膜 裝置 方法 | ||
1.一種制備薄膜的裝置,包括:
濺射室,用于生成金屬前驅(qū)物;
蒸發(fā)室,用于將蒸發(fā)的所述金屬前驅(qū)物鍍至基板上形成薄膜;
以及基板承載裝置,位于蒸發(fā)室中,用于承載所述基板;
所述濺射室與所述蒸發(fā)室可相連通,所述基板承載裝置朝向所述濺射室;所述濺射室和所述蒸發(fā)室之間還包括屏蔽層;所述屏蔽層包括開(kāi)孔,所述基板承載裝置朝向所述開(kāi)孔;所述濺射室進(jìn)一步包括濺射裝置和發(fā)射源,其中所述濺射裝置接收來(lái)自發(fā)射源的濺射,所述發(fā)射源包括位于不同位置的不同發(fā)射源;所述濺射裝置為旋轉(zhuǎn)裝置;所述旋轉(zhuǎn)裝置進(jìn)一步包括:旋轉(zhuǎn)支架,其沿旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn);襯底,其位于所述旋轉(zhuǎn)支架上,并沿所述旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn);以及局部加熱裝置,其靠近所述襯底;所述局部加熱裝置不沿所述旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn);所述旋轉(zhuǎn)支架包括固定部分和旋轉(zhuǎn)部分,其中所述局部加熱裝置安裝在所述固定部分;所述蒸發(fā)室進(jìn)一步包括:加熱源,經(jīng)配置以加熱基板承載裝置上的基板;以及熱電偶,其經(jīng)配置以監(jiān)測(cè)基板的溫度;其中所述加熱源靠近所述基板承載裝置,并與所述基板承載裝置相間隔;其中所述熱電偶位于所述加熱源上或者所述基板承載裝置上。
2.一種制備薄膜的方法,包括:在濺射室內(nèi),在襯底上鍍制金屬前驅(qū)物;以及在蒸發(fā)室內(nèi),所述金屬前驅(qū)物鍍至所述蒸發(fā)室內(nèi)的基板;所述濺射室和蒸發(fā)室是可連通的;進(jìn)一步包括:對(duì)濺射室和蒸發(fā)室進(jìn)行真空處理;其中進(jìn)一步包括:蒸發(fā)室內(nèi)填充金屬氣氛;所述鍍制金屬前驅(qū)物包括同時(shí)將多種發(fā)射源靶材直接濺射到襯底上;所述鍍制金屬前驅(qū)物包括在不同時(shí)間將一種或幾種發(fā)射源靶材濺射到襯底上,形成不同金屬前驅(qū)物;進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)所述襯底至所述基板前方;將所述金屬前驅(qū)物鍍至所述蒸發(fā)室內(nèi)的基板包括加熱襯底或襯底的一部分蒸發(fā)金屬前驅(qū)物;所述加熱襯底或襯底的一部分蒸發(fā)金屬前驅(qū)物包括:在第一溫度T1蒸發(fā)In和Ga;在第二溫度T2蒸發(fā)Cu,形成富銅相;在第三溫度T3蒸發(fā)In和Ga,形成貧銅相;在第一溫度T1、第二溫度T2和第三溫度T3蒸發(fā)時(shí)都包括硒鍍制步驟;包括:利用濺射方法鍍制金屬前驅(qū)物;以及利用蒸發(fā)方法將所述金屬前驅(qū)物鍍至基板上。
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C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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