[發明專利]一種新型制備薄膜的裝置及方法

有效

• 申請號: 201810696065.2
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN108624854B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 韓偉丹
• 申請（專利權）人: 上海祖強能源有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/24;C23C14/50
• 代理公司: 北京正和明知識產權代理事務所(普通合伙) 11845
• 代理人: 申婕

1.一種制備薄膜的裝置，包括：

濺射室，用于生成金屬前驅物；

蒸發室，用于將蒸發的所述金屬前驅物鍍至基板上形成薄膜；

以及基板承載裝置，位于蒸發室中，用于承載所述基板；

所述濺射室與所述蒸發室可相連通，所述基板承載裝置朝向所述濺射室；所述濺射室和所述蒸發室之間還包括屏蔽層；所述屏蔽層包括開孔，所述基板承載裝置朝向所述開孔；所述濺射室進一步包括濺射裝置和發射源，其中所述濺射裝置接收來自發射源的濺射，所述發射源包括位于不同位置的不同發射源；所述濺射裝置為旋轉裝置；所述旋轉裝置進一步包括：旋轉支架，其沿旋轉軸旋轉；襯底，其位于所述旋轉支架上，并沿所述旋轉軸旋轉；以及局部加熱裝置，其靠近所述襯底；所述局部加熱裝置不沿所述旋轉軸旋轉；所述旋轉支架包括固定部分和旋轉部分，其中所述局部加熱裝置安裝在所述固定部分；所述蒸發室進一步包括：加熱源，經配置以加熱基板承載裝置上的基板；以及熱電偶，其經配置以監測基板的溫度；其中所述加熱源靠近所述基板承載裝置，并與所述基板承載裝置相間隔；其中所述熱電偶位于所述加熱源上或者所述基板承載裝置上。

2.一種制備薄膜的方法，包括：在濺射室內，在襯底上鍍制金屬前驅物；以及在蒸發室內，所述金屬前驅物鍍至所述蒸發室內的基板；所述濺射室和蒸發室是可連通的；進一步包括：對濺射室和蒸發室進行真空處理；其中進一步包括：蒸發室內填充金屬氣氛；所述鍍制金屬前驅物包括同時將多種發射源靶材直接濺射到襯底上；所述鍍制金屬前驅物包括在不同時間將一種或幾種發射源靶材濺射到襯底上，形成不同金屬前驅物；進一步包括旋轉所述襯底至所述基板前方；將所述金屬前驅物鍍至所述蒸發室內的基板包括加熱襯底或襯底的一部分蒸發金屬前驅物；所述加熱襯底或襯底的一部分蒸發金屬前驅物包括：在第一溫度T1蒸發In和Ga；在第二溫度T2蒸發Cu，形成富銅相；在第三溫度T3蒸發In和Ga，形成貧銅相；在第一溫度T1、第二溫度T2和第三溫度T3蒸發時都包括硒鍍制步驟；包括：利用濺射方法鍍制金屬前驅物；以及利用蒸發方法將所述金屬前驅物鍍至基板上。