[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810694907.0
• 申請(qǐng)日: 2018-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN109560048B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本哲也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L23/367
• 分類號(hào): H01L23/367;H01L23/427
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種半導(dǎo)體模塊，具備：

半導(dǎo)體元件；

第1基底基板，具有導(dǎo)電性，供上述半導(dǎo)體元件載置；

第2基底基板，具有導(dǎo)電性，面積比上述第1基底基板的面積大；

散熱片，固定于上述第2基底基板；以及

絕緣片，面積比上述第1基底基板的面積大，配置于上述第1基底基板與上述第2基底基板之間，

上述絕緣片是含有熱傳導(dǎo)率高的填料的樹脂，具有被上述第1基底基板與上述第2基底基板夾著的第1部分、和除上述第1部分之外的第2部分，上述第1部分的第1厚度與上述第2部分的第2厚度實(shí)質(zhì)上相等，

上述絕緣片的上述第2部分具有效仿了上述第2基底基板的外周部的凹凸的凹凸。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

上述絕緣片比上述第1基底基板突出了爬電距離的大小以上，上述爬電距離用于確保上述第1基底基板與上述散熱片之間的沿面耐壓。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

上述絕緣片的上述第1部分緊貼于上述第1基底基板以及上述第2基底基板，上述第2部分緊貼于上述第2基底基板。

4.一種半導(dǎo)體模塊的制造方法，包括如下工序：

準(zhǔn)備具有導(dǎo)電性的第1基底基板、具有導(dǎo)電性且面積比上述第1基底基板的面積大且外周部具有凹凸的第2基底基板、面積比上述第1基底基板的面積大且含有熱傳導(dǎo)率高的填料的絕緣片、以及具有與上述第1基底基板相等的厚度且具有效仿了上述第2基底基板的外周部的凹凸的凹凸的虛擬基板；

在上述第2基底基板上依次重疊上述絕緣片以及上述第1基底基板，并且在上述絕緣片上以包圍上述第1基底基板的方式配置上述虛擬基板；

在用上述第2基底基板、和上述第1基底基板以及上述虛擬基板夾著上述絕緣片的狀態(tài)下，進(jìn)行加熱及加壓，在上述絕緣片上形成平坦的第1部分及厚度與上述第1部分的實(shí)質(zhì)上相等且具有凹凸的第2部分，將上述第1基底基板與上述第2基底基板接合，上述第2部分的凹凸效仿了上述第2基底基板的外周部的凹凸；

將上述虛擬基板除去；

在上述第2基底基板的與上述絕緣片側(cè)相反的一側(cè)的面上接合散熱片；以及

在上述第1基底基板的與上述絕緣片側(cè)相反的一側(cè)的面上接合半導(dǎo)體元件。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其中，

上述絕緣片比上述第1基底基板突出了爬電距離的大小以上，上述爬電距離用于確保上述第1基底基板與上述散熱片之間的沿面耐壓。

6.如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其中，

在上述虛擬基板的與上述第2基底基板對(duì)置的面上形成有對(duì)上述絕緣片具有脫模作用的保護(hù)膜。

7.如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其中，

作為上述虛擬基板，配置沿上述第1基底基板的外周面抵接的多個(gè)虛擬塊。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法，其中，

作為上述虛擬基板，配置沿上述第1基底基板的外周面抵接的多個(gè)虛擬塊。