[發明專利]工藝腔室和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201810694815.2
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN110660635B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 張璐
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種工藝腔室，其特征在于，包括：

腔室本體；

基座，位于所述腔室本體內；

蓋板，蓋設在所述腔室本體上，且與所述腔室本體之間絕緣間隔；

下電極射頻電源，與所述基座和所述蓋板選擇性地電連接；并且，

啟輝階段，所述蓋板為不接地的懸浮狀態，所述下電極射頻電源與所述蓋板電性導通，以通過所述蓋板和所述腔室本體之間的容性耦合的方式使得等離子體發生啟輝；

啟輝結束，所述下電極射頻電源與所述基座電性導通，以形成射頻自偏壓。

2.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室還包括第一選擇連接件；

所述下電極射頻電源經由所述第一選擇連接件與所述基座和所述蓋板選擇性地電連接。

3.根據權利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一選擇連接件包括選擇開關；

所述選擇開關的靜觸頭與所述下電極射頻電源電連接，所述選擇開關的動觸頭選擇性地與所述基座和所述蓋板電連接。

4.根據權利要求3所述的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室還包括：

第一匹配器，串聯設置在所述基座和所述選擇開關之間；

第二匹配器，串聯設置在所述蓋板和所述選擇開關之間。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室還包括第一絕緣件；

所述第一絕緣件夾設在所述腔室本體和所述蓋板之間，以使得所述蓋板與所述腔室本體之間絕緣間隔。

6.根據權利要求1至4中任意一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室還包括第二選擇連接件；

所述蓋板經由所述第二選擇連接件與接地端選擇性地電連接；并且，

啟輝階段，所述第二選擇連接件使得所述蓋板與所述接地端不導通，以使得所述蓋板呈懸浮狀態；

啟輝結束，所述第二選擇連接件使得所述蓋板與所述接地端電性導通。

7.根據權利要求1至4中任意一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述蓋板為金屬材料；

所述蓋板朝向所述腔室本體的一個表面經過粗糙處理；或，所述蓋板朝向所述腔室本體的一個表面設置有絕緣材料層，并且，所述絕緣材料層經過粗糙處理。

8.根據權利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，所述蓋板的材料或所述蓋板表面的絕緣材料與工藝需要附著的金屬或氧化物材料相同。

9.根據權利要求1至4中任意一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室還包括：

介質窗，與所述腔室本體耦接；

射頻線圈，放置在所述介質窗上，所述射頻線圈經由第三匹配器與上電極射頻電源電連接；

法拉第屏蔽件，位于所述腔室本體內，且與所述介質窗對應設置，所述法拉第屏蔽件經由所述腔室本體直接接地。

10.一種半導體處理設備，其特征在于，包括權利要求1至9中任意一項所述的工藝腔室。