[發明專利]顯示面板和顯示裝置在審
| 申請號: | 201810694309.3 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN108807488A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 梁玉姣;王永志;彭濤 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示區 方向排列 顯示面板 像素單元 柵極線 短柵極 方向延伸 顯示裝置 方向交叉 非顯示區 顯示效果 均一 阻抗 保證 包圍 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:顯示區和包圍所述顯示區的非顯示區;
所述顯示區包括第一顯示區和第二顯示區;
所述第一顯示區包括多條沿所述第一方向延伸的短柵極線以及沿所述第一方向排列的像素單元;
所述第二顯示區包括多條沿所述第一方向延伸的長柵極線以及沿所述第一方向排列的像素單元;
所述第一顯示區的沿所述第一方向排列的像素單元的個數小于所述第二顯示區的沿所述第一方向排列的像素單元的個數;
在所述第一方向上,所述短柵極線的長度小于所述長柵極線的長度;
在第二方向上,所述短柵極線的寬度小于所述長柵極線的寬度,所述第二方向與所述第一方向交叉。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述短柵極線和所述長柵極線位于所述顯示面板的同一膜層。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述短柵極線包括第一短柵極線和第二短柵極線,在所述第一方向上,所述第一短柵極線的長度小于所述第二短柵極線的長度;
在所述第二方向上,所述第一短柵極線的寬度小于所述第二短柵極線的寬度。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一顯示區內,沿所述第二方向上,所述短柵極線的長度逐漸變長,所述短柵極線的寬度逐漸變大。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括第一金屬線;
在所述第一顯示區,所述短柵極線與所述第一金屬線絕緣產生電容,在垂直于所述顯示面板的方向上,所述短柵極線與所述第一金屬線之間的間距為h1;
在所述第二顯示區,所述長柵極線與所述第一金屬線絕緣產生電容,在垂直于所述顯示面板的方向上,所述長柵極線與所述第一金屬線之間的間距為h2;其中,
h1<h2。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板包括數據線、電源線和復位走線;
所述第一金屬線為所述數據線、所述電源線、或者所述復位走線中至少一種。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板包括陣列基板;
所述陣列基板包括柵極金屬層、源漏極金屬層和電容金屬層,其中,所述長柵極線和所述短柵極線位于所述柵極金屬層,所述數據線和所述電源線位于所述源漏極金屬層,所述復位走線位于所述電容金屬層。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板包括兩個所述第一顯示區,兩個所述第一顯示區之間具有第二非顯示區;
所述非顯示區包括兩個第一非顯示區,沿所述第一方向上,所述第一非顯示區位于所述第一顯示區遠離所述第二非顯示區一側;
在所述第一非顯示區內設置有移位寄存器,一條所述短柵極線電連接一個所述移位寄存器。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一顯示區具有弧形拐角,所述弧形拐角與所述第一非顯示區相鄰。
10.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
位于所述第二非顯示區的兩側,且位于同一行的兩條所述短柵極線在沿所述第二方向上的寬度相同。
11.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
所述第二非顯示區的形狀為矩形、三角形或者梯形。
12.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
沿所述第二方向上,所述短柵極線的寬度為d1,所述長柵極線的寬度為d2,其中,1<d2/d1≤5。
13.根據權利要求12所述的顯示面板,其特征在于,
1μm≤d1<5μm。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至13任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





