[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝和用于形成半導(dǎo)體封裝的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810693672.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN109411421A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王松偉;周志雄;黑瀨英司;劉豪杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;姚開麗

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括第一側(cè)和第二側(cè)；

一個(gè)或多個(gè)凸塊，所述一個(gè)或多個(gè)凸塊包括在所述晶圓的所述第一側(cè)上，所述凸塊包括具有第一金屬的第一層和具有第二金屬的第二層，其中所述第一層具有10微米的厚度，并且所述第二層具有20微米的厚度；和

模塑料，所述模塑料包封除所述一個(gè)或多個(gè)凸塊的一面以外的全部所述半導(dǎo)體管芯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一金屬是銅，并且所述第二金屬是錫。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一金屬是銀、金、銅、鎘、鈀、銠中的一種或任意組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二金屬是錫、銀、金、銅、鎘、鈀、銠中的一種或任意組合。

5.一種用于形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：

提供晶圓，所述晶圓包括第一側(cè)和第二側(cè)；

在所述晶圓的所述第一側(cè)上形成多個(gè)凸塊，所述凸塊包括第一層和第二層；

在所述晶圓的所述第一側(cè)上的所述凸塊之間形成一個(gè)或多個(gè)溝槽，所述一個(gè)或多個(gè)溝槽具有進(jìn)入所述晶圓中的預(yù)定深度；

使用模塑料對(duì)所述多個(gè)凸塊進(jìn)行包覆模塑；

磨削所述模塑料以暴露所述多個(gè)凸塊的一面；

磨削所述晶圓的所述第二側(cè)以對(duì)所述晶圓中包括的多個(gè)管芯進(jìn)行切單；

對(duì)所述晶圓的所述第二側(cè)進(jìn)行包覆模塑；以及

在所述多個(gè)管芯之間對(duì)所述模塑料進(jìn)行切單以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝，除所述多個(gè)凸塊的所述面以外，所述多個(gè)管芯完全包封在所述模塑料內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述凸塊的所述第一層具有10微米的厚度，并且所述凸塊的所述第二層具有20微米的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過鋸切和蝕刻之一來形成所述一個(gè)或多個(gè)溝槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中磨削所述模塑料和磨削所述晶圓的所述第二側(cè)各自還包括通過機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械平坦化CMP之一來磨削。

9.一種用于形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：

提供晶圓，所述晶圓包括第一側(cè)和第二側(cè)；

在所述晶圓的所述第一側(cè)上形成第一組凸塊，所述第一組凸塊包含第一金屬；

在所述第一組凸塊上形成第二組凸塊，所述第二組凸塊包含不同于所述第一金屬的第二金屬；

在所述晶圓的所述第一側(cè)上的所述第一組凸塊與所述第二組凸塊之間鋸切一個(gè)或多個(gè)溝槽；

使用模塑料對(duì)所述晶圓的所述第一側(cè)進(jìn)行包覆模塑以包封所述第一組凸塊和所述第二組凸塊；

磨削所述模塑料以暴露所述第二組凸塊的一面；

磨削所述晶圓的所述第二側(cè)以對(duì)所述晶圓中包括的多個(gè)管芯進(jìn)行切單；

對(duì)所述晶圓的所述第二側(cè)進(jìn)行包覆模塑；以及

在所述多個(gè)管芯之間對(duì)所述模塑料進(jìn)行切單以形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝，除所述第二組凸塊的所述面以外，所述多個(gè)管芯完全包封在所述模塑料內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一組凸塊具有10微米的厚度，并且所述第二組凸塊具有20微米的厚度。