[發(fā)明專利]發(fā)光晶體管及其發(fā)光方法、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810691831.6
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN108628038B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳東川;錢學(xué)強;王丹;劉冰洋;馬新利
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種發(fā)光晶體管，包括：

發(fā)光層；

柵極，設(shè)置在所述發(fā)光層的一側(cè)；以及

源極和漏極，設(shè)置在所述發(fā)光層遠離所述柵極的一側(cè)，

其中，所述源極和所述漏極分別包括第一氧化石墨烯，所述發(fā)光層包括第二氧化石墨烯，所述第二氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比大于所述第一氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比，

所述源極包括多個第一條狀子電極，所述漏極包括多個第二條狀子電極，所述多個第一條狀子電極和所述多個第二條狀子電極交替間隔設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光晶體管，其中，所述第一氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比為0.3-0.4；所述第二氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比為0.51-0.60。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光晶體管，其中，所述柵極包括第三氧化石墨烯，所述第三氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比大于所述第二氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光晶體管，其中，所述第三氧化石墨烯的氧碳原子數(shù)目比為0.61-0.7。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的發(fā)光晶體管，其中，所述源極和所述漏極在所述發(fā)光層上的正投影落入所述柵極在所述發(fā)光層的正投影。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光晶體管，其中，各所述第一條狀子電極的寬度范圍為5μm-10μm，各所述第二條狀子電極的寬度范圍為5μm-10μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光晶體管，其中，相鄰的所述第一條狀子電極和所述第二條狀子電極之間的距離范圍為10μm-200μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的發(fā)光晶體管，其中，所述源極包括螺旋狀排列的第一線狀部，所述漏極包括螺旋狀排列的第二線狀部，所述第一線狀部與所述第二線狀部同心交替間隔等距設(shè)置。

9.一種陣列基板，包括：襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的發(fā)光晶體管，所述發(fā)光晶體管為根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的發(fā)光晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，還包括：

柵線，與所述柵極電性相連；

公共電極線，與所述漏極電性相連；以及

數(shù)據(jù)線，與所述源極電性相連。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中，所述襯底基板為柔性襯底基板。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，還包括：保護層，設(shè)置在所述發(fā)光晶體管遠離所述襯底基板的一側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，還包括：

反射層，設(shè)置在所述襯底基板遠離所述發(fā)光晶體管的一側(cè)或者所述保護層遠離所述發(fā)光晶體管的一側(cè)。

14.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求9-13中任一項所述的陣列基板。

15.一種發(fā)光晶體管的發(fā)光方法，其中，所述發(fā)光晶體管包括根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的發(fā)光晶體管，所述發(fā)光方法包括：

向所述柵極施加?xùn)艠O電壓；

向所述源極施加像素電壓；

向所述漏極施加公共電壓；

其中，通過調(diào)節(jié)所述柵極電壓的大小以控制所述發(fā)光晶體管發(fā)出的光的顏色。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光晶體管的發(fā)光方法，還包括：

控制所述像素電壓的大小以控制所述發(fā)光晶體管發(fā)出的光的亮度。