[發(fā)明專(zhuān)利]一種有機(jī)光伏電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810689808.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108899424B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏志祥;趙一凡;張建齊;王國(guó)棟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 國(guó)家納米科學(xué)中心 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H10K71/12 | 分類(lèi)號(hào): | H10K71/12;H10K30/00;H10K85/10 |
| 代理公司: | 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 100190 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機(jī)光伏電池的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
步驟(1),在基底層上刮涂有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液,待溶液干燥成膜后得到有機(jī)半導(dǎo)體聚合物膜層;
步驟(2),在步驟(1)中得到的有機(jī)半導(dǎo)體聚合物膜層上刮涂光伏電子受體溶液,待溶液干燥后得到光伏電子受體膜層;
步驟(1)和步驟(2)中所述刮涂的速率為1~5m/min;
所述刮涂有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液和刮涂光伏電子受體溶液沿同一方向進(jìn)行;
所述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液中有機(jī)半導(dǎo)體聚合物的濃度為5~20mg/mL;
所述光伏電子受體溶液中光伏電子受體的濃度為5~20mg/mL。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液的溶劑為鄰二甲苯、甲苯、四氫呋喃、氯苯或鄰二氯苯中的任意一種或至少兩種的混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液的溶劑為鄰二甲苯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液中的有機(jī)半導(dǎo)體聚合物具有如下結(jié)構(gòu):
其中,n為大于20的整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述光伏電子受體溶液的溶劑為鄰二甲苯、甲苯、四氫呋喃、氯苯或鄰二氯苯中的任意一種或至少兩種的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述光伏電子受體溶液的溶劑為鄰二甲苯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,按體積百分?jǐn)?shù)計(jì)算,所述光伏電子受體溶液中還包括2~4%的相分離劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述相分離劑為二碘辛烷、2-氯苯酚或1,2-二苯氧基乙烷中的任意一種或至少兩種的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述光伏電子受體溶液中的光伏電子受體為經(jīng)過(guò)化學(xué)修飾的富勒烯C60或C70,具有如下的結(jié)構(gòu):
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液中的有機(jī)半導(dǎo)體聚合物與光伏電子受體溶液中的光伏電子受體的質(zhì)量比為1:1~2。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物溶液中還添加有小分子添加劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述小分子添加劑與有機(jī)半導(dǎo)體聚合物的重量比為1:2~10。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述小分子添加劑具有如下的結(jié)構(gòu):
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述光伏電子受體膜層表面還需依次鍍上緩沖膜層和電極膜層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法,其特征在于,所述電子受體膜層表面的鍍膜通過(guò)真空鍍膜機(jī)實(shí)現(xiàn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法,其特征在于,所述緩沖膜層的厚度為1~10nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法,其特征在于,所述緩沖膜層為三氧化鉬膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法,其特征在于,所述電極膜層的厚度為50~200nm。
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