[發明專利]一種電力模塊的快速檢測裝置

在審

• 申請號: 201810689138.5
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN109116208A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 張銓基;陳慶九;孫威;錢濤;趙建剛
• 申請（專利權）人: 武漢鋼鐵有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發明公開了一種電力模塊的快速檢測裝置，包括：輸入單元、MCU單元、脈沖輸出單元、移相指令單元、脈沖放大單元、第一電流采集單元、第一電壓采集單元、顯示單元、直流電源、交流電源。使用本發明中的裝置，本發明解決了現有技術中在對大功率元件進行現場檢測時，存在檢測不夠全面的技術問題，實現了對電力系統大功率可控硅、MOSFET、IGBT、IGCT等元件的快速檢測的技術效果。

技術領域

本發明涉及電力電子技術領域，尤其涉及一種電力模塊的快速檢測裝置。

背景技術

在電力系統的整流、逆變、變頻裝置中，廣泛應用可控硅、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Translator，絕緣柵門極晶體管)、IGCT(integrated GateCommutated Thyristors，集成門極換流晶閘管)等大功率元件。目前的現場檢測手段是利用泄漏電流檢測儀，檢測大功率元件是否有擊穿現象。

由于無法對大功率元件進行受控開通及關斷性能的檢測，因此，現有的技術對大功率元件的現場檢測是不夠準確和全面的。尤其無法適用于MOSFET、IGBT和IGCT的檢測。

發明內容

本申請實施例通過提供一種電力模塊的快速檢測裝置，解決了現有技術中在對大功率元件進行現場檢測時，存在檢測不夠準確，不全面的的技術問題，實現了對電力系統大功率可控硅、MOSFET、IGBT、IGCT等元件的快速檢測的技術效果。

一種電力模塊的快速檢測裝置，包括：輸入單元、MCU單元、脈沖輸出單元、移相指令單元、脈沖放大單元、第一電流采集單元、第一電壓采集單元、顯示單元、直流電源、交流電源；

所述MCU單元與所述輸入單元、所述顯示單元、所述脈沖輸出單元、所述移相指令單元、所述第一電流采集單元、所述第一電壓采集單、所述直流電源分別連接，所述脈沖輸出單元、所述移相指令單元、所述脈沖放大單元依次連接，所述脈沖放大單元與待測模塊連接，所述第一電流采集單元、以及所述第一電壓采集單元與所述待測模塊的負載連接，所述交流電源與所述待測模塊連接；

所述直流電源用于給所述MCU單元供電，所述交流電源用于給所述待測模塊供電；

所述MCU單元用于：通過所述輸入單元獲取用戶輸入的所述待測模塊的類型信息，并基于所述類型信息控制所述脈沖輸出單元產生與所述待測模塊對應的觸發脈沖，控制所述移相指令單元對所述觸發脈沖進行移相，控制所述脈沖放大單元對移相后的觸發脈沖進行功率放大，其中，放大后的觸發脈沖用于驅動所述待測模塊；

所述MCU單元還用于：通過所述第一電流采集單元采集所述待測模塊的負載的工作電流值，通過所述第一電壓采集單元采集所述負載的工作電壓值，并控制所述顯示單元輸出所述工作電流值和所述工作電壓值。

優選地，所述MCU單元還用于：

通過所述輸入單元獲取用戶輸入的所述脈沖放大單元的放大倍數，并基于所述放大倍數，控制所述脈沖放大單元對移相后的觸發脈沖進行功率放大。

優選地，所述的電力模塊的快速檢測裝置，還包括：

高壓發生單元，與所述直流電源、所述MCU單元、所述待測模塊連接，所述直流電源用于向所述高壓發生單元供電，所述高壓發生單元用于輸出200V～6000V的直流高電壓。

優選地，所述MCU單元還用于：

基于所述待測模塊的類型，控制所述高壓發生單元輸出與所述待測模塊對應的額定工作電壓。

優選地，所述的電力模塊的快速檢測裝置，還包括：

第二電流采集單元，與所述高壓發生單元、所述MCU單元連接；