[發明專利]一種使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝

在審

• 申請號: 201810688397.6
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN108796605A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 余學功;胡澤晨;楊德仁
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06;C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述坩堝的底座部內表面設有氮化硅涂層，氮化硅涂層上設有阻擋層，所述阻擋層為表面沉積有Al₂O₃薄膜的基片。

2.根據權利要求1所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述阻擋層的制備方法為：在基片上通過原子層沉積法沉積Al₂O₃薄膜，反應源為三甲基鋁和水，原子層沉積法的工藝參數為：沉積溫度為150～200℃、惰性氣體壓力為0.15～0.2torr，反應源的脈沖時間為0.015～0.025秒，沉積循環次數為100～300次。

3.根據權利要求1所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述Al₂O₃薄膜的厚度為15～25nm。

4.根據權利要求1所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述基片為太陽能級單晶硅片。

5.根據權利要求1所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述阻擋層通過粘結劑粘結在氮化硅涂層上。

6.根據權利要求5所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述的粘結劑為硅溶膠。

7.根據權利要求1所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述阻擋層與所述鑄錠用坩堝底部相適配。

8.根據權利要求1所述的使用氧化鋁薄膜作為阻擋層的準單晶硅鑄錠用坩堝，其特征在于，所述氮化硅涂層以噴涂方式涂覆于坩堝底部內表面。