[發明專利]晶圓結構

在審

• 申請號: 201810687529.3
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN109148559A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 林春生;吳谷澤;簡志穎;周明宗
• 申請（專利權）人: 矽創電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/304
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種晶圓結構，其特征在于，其包含：

多個晶粒，具有多個第一邊及多個第二邊；

多個切割道，相鄰該些晶粒的該些第一邊及該些第二邊，相鄰該些第二邊的該些切割道的寬度小于相鄰該些第一邊的該些切割道的寬度；及

多個制程圖樣，位于相鄰該些第一邊的該些切割道。

2.如權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些第一邊為該些晶粒的短邊，該些第二邊為該些晶粒的長邊。

3.如權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些制程圖樣全部皆位于相鄰該些第一邊的該些切割道。

4.如權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些晶粒具有多個輸入/輸出部，該些輸入/輸出部沿著該些第二邊設置，該些輸入/輸出部與該些制程圖樣相鄰該些晶粒的不同邊。

5.如權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，其中，相鄰該些第二邊的該些切割道的寬度小于該些制程圖樣的最大寬度。

6.如權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，其中，相鄰該些第二邊的該些切割道的寬度為相同寬度。

7.如權利要求6所述的晶圓結構，其特征在于，其中，相鄰該些第一邊的該些切割道的寬度為相同寬度。

8.一種晶圓結構，其特征在于，其包含：

多個晶粒，具有多個第一邊及多個第二邊；

多個切割道，相鄰該些晶粒的該些第一邊及該些第二邊；及

多個制程圖樣，位于相鄰該些第二邊的該些切割道中5%以下的切割道及相鄰該些第一邊的該些切割道；

其中，未具有該些制程圖樣的相鄰該些第二邊的該些切割道的寬度小于具有該些制程圖樣的該些切割道的寬度。

9.如權利要求8所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些第一邊為該些晶粒的短邊，該些第二邊為該些晶粒的長邊。

10.如權利要求8所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些晶粒具有多個輸入/輸出部，該些輸入/輸出部沿著該些第二邊設置。

11.如權利要求8所述的晶圓結構，其特征在于，其中，未具有該些制程圖樣的相鄰該些第二邊的該些切割道的寬度小于該些制程圖樣的最大寬度。

12.一種晶圓結構，其特征在于，其包含：

多個晶粒，具有多個第一邊及多個第二邊；

多個切割道，相鄰該些晶粒的該些第一邊及該些第二邊；及

多個制程圖樣，位于該些晶粒內。

13.如權利要求12所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些晶粒分別包含數個電子組件，該些制程圖樣位于該些晶粒未設置該電子組件的一無用區域。

14.如權利要求13所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該無用區域為該晶圓結構其中一層結構的無用區域。

15.如權利要求13所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該無用區域為橫跨該晶圓結構之多層結構的無用區域。

16.如權利要求12所述的晶圓結構，其特征在于，其中，該些切割道的寬度小于該些制程圖樣的最大寬度。

17.如權利要求12所述的晶圓結構，其特征在于，其中，相鄰該些第二邊的該些切割道的寬度為相同寬度。

18.如權利要求12所述的晶圓結構，其特征在于，其中，相鄰該些第一邊的該些切割道的寬度為相同寬度。