[發明專利]一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法

在審

• 申請號: 201810687267.0
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN110660886A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 彭璐;張兆梅;厲夫吉;王成新
• 申請（專利權）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 37219 濟南金迪知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊樹云

1.一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，包括步驟如下：

(1)在襯底上依次生長重摻N型層、量子阱層、P型層；

(2)粗化所述P型層的表面；

(3)在所述P型層的表面制備透明導電薄膜或復合薄膜；

(4)在所述透明導電薄膜或復合薄膜上制備玻璃層；

(5)去除所述襯底，

(6)刻蝕所述重摻N型層、所述量子阱層、所述P型層，露出對應P電極的透明導電薄膜或復合薄膜；

(7)在露出的透明導電薄膜或復合薄膜上制備P電極，在所述重摻N型層上制備N電極；

(8)對所述玻璃層進行研磨；

(9)切割，獲得獨立的反極性AlGaInP四元LED芯片。

2.根據權利要求1所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)，在所述透明導電薄膜或復合薄膜上制備玻璃層，包括：

A、將低溫玻璃粉與高純水調成膏狀混合物；低溫玻璃粉與高純水的質量體積比為(1:0.5)-(1：5)；

B、將膏狀混合物涂敷在所述透明導電薄膜或復合薄膜上，厚度為1-2mm；

C、按照以下步驟進行玻璃粉固化，形成玻璃層；包括：

①在86℃的恒溫條件下，靜置5-10min；

②在3-5min時間內升溫至115℃，在115℃的恒溫條件下，靜置3-5min；

③在5min時間內升溫至200℃，在200℃的恒溫條件下，靜置5min；

④在5min時間內升溫至350-450℃，在350-450℃的恒溫條件下，靜置30-60min；

⑤在20min時間內升溫至200℃，取出，即得。

3.根據權利要求1所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)，粗化所述P型層的表面，包括：利用HF、HNO₃和CH₃COOH的混合腐蝕液，在腐蝕液25-35℃溫度條件下，浸泡所述P型層30-120s；所述混合腐蝕液中，各物質的HF、HNO₃和CH₃COOH的體積比為3:2:4。

4.根據權利要求1所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)之后，執行以下步驟：

a、粗化所述N型重摻層；

b、在所述N型重摻層表面制備ODR薄膜。

5.根據權利要求4所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟a，粗化N型重摻層，包括：采用離子束轟擊法或溶液濕法粗化粗化N型重摻層。

6.根據權利要求4所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述ODR薄膜的材質為SiO₂、Ti₂O₃、Al₂O₃、aO；或者，所述ODR薄膜包括材質為SiO₂、Ti₂O₃、Al₂O₃、aO中不同材料的組合膜層，每個膜層的厚度為芯片發光主波長的1/4。

7.根據權利要求1所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟(8)，對所述玻璃層進行研磨至100-180um；

進一步優選的，所述步驟(8)，對所述玻璃層進行研磨至110-160um；

最優選的，所述步驟(8)，對所述玻璃層進行研磨至120um。

8.根據權利要求1所述的一種反極性AlGaInP四元LED芯片的制備方法，其特征在于，所述透明導電薄膜的材質為ITO或AZO；所述復合薄膜的材質為SiO₂和TCF。