[發明專利]透明導電薄膜及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201810685195.6
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN110660926B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 朱佩;向超宇;錢磊;張滔;李樂
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種透明導電薄膜，其特征在于，所述透明導電薄膜的材料為二氧化錫和碳形成的復合材料，且在所述二氧化錫和碳相鄰的界面上具有過渡緩沖材料；

其中，所述過渡緩沖材料為碳化錫、氮化錫中的至少一種。

2.如權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于，所述碳為石墨、碳纖維、碳納米管、石墨烯、炭黑中的至少一種；和/或所述碳占所述復合材料質量的0.3～0.8％。

3.一種透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

提供SnO₂/碳復合材料薄膜；

在碳源氣氛和/或氮源氣氛下，對所述SnO₂/碳復合材料薄膜進行激光掃描處理，使所述SnO₂和碳在相鄰的界面上生成過渡緩沖材料，獲得透明導電薄膜。

4.如權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述過渡緩沖材料為碳化錫層、氮化錫中的至少一種。

5.如權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述碳為石墨、碳纖維、碳納米管、石墨烯、炭黑中的至少一種。

6.如權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述SnO₂/碳復合材料薄膜采用液相沉積法制備；和/或所述SnO₂/碳復合材料薄膜中，碳占所述復合材料薄膜質量的0.3～0.8％。

7.如權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述激光掃描處理的激光功率密度為(0.56～5.5)×10⁵W/cm²，光斑直徑為1～3mm。

8.一種量子點發光二極管器件，包括陽極，其特征在于，所述陽極的材料為二氧化錫和碳形成的復合材料，且在所述二氧化錫和碳相鄰的界面上具有過渡緩沖材料；

其中，所述過渡緩沖材料為碳化錫、氮化錫中的至少一種。

9.如權利要求8所述的量子點發光二極管器件，其特征在于，所述碳為石墨、碳纖維、碳納米管、石墨烯、炭黑中的至少一種；和/或所述碳占所述復合材料質量的0.3～0.8％。