[發(fā)明專利]一種用于測量二維半導(dǎo)體材料的磁阻的裝置及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810684255.2
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108807211B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧年端;李泠;耿玓;劉明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L43/08
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張成新

1.一種用于測量二維半導(dǎo)體材料的磁阻的裝置，包括：

絕緣襯底層；

第一金屬柵極層，所述第一金屬柵極層設(shè)置于所述絕緣襯底層的上方；

二維半導(dǎo)體材料層，所述二維半導(dǎo)體材料層設(shè)置于所述第一金屬柵極層的上方，其中，所述二維半導(dǎo)體材料層由至少一層二維半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

第二金屬柵極層，所述第二金屬柵極層設(shè)置于所述二維半導(dǎo)體材料層的上方；以及

測量儀器，所述測量儀器通過導(dǎo)線連接在第一金屬柵極層和第二金屬柵極層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述絕緣襯底層為具有200nm厚二氧化硅的硅襯底或玻璃襯底，所述硅襯底或玻璃襯底的厚度為1mm-10mm。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一金屬柵極層，和/或第二金屬柵極層由鉑、金、銅、銀中的至少一種組成。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一金屬柵極層，和/或第二金屬柵極層的寬度為1mm~2mm，厚度為100nm~500nm。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，每一層二維半導(dǎo)體材料的長度為1mm~10mm，寬度為100μm~1mm。

6.一種制作如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的裝置的方法，包括：

在絕緣襯底層上沉積第一金屬柵極層；

在第一金屬柵極層上形成二維半導(dǎo)體材料層；

在二維半導(dǎo)體材料層上沉積第二金屬柵極層；

在第一金屬柵極層和第二金屬柵極層之間電連接測量儀器。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在絕緣襯底層上沉積第一金屬柵極層包括：

通過電子束蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、原子層沉積或磁控濺射將第一金屬柵極層沉積在所述絕緣襯底層上。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在第一金屬柵極層上形成二維半導(dǎo)體材料層包括：

通過化學(xué)氣相淀積或熱淀積方法在第一金屬柵極層上形成二維半導(dǎo)體材料層，或是通過物理連接的方法將二維半導(dǎo)體材料層轉(zhuǎn)移到所述第一金屬柵極層上。