[發(fā)明專利]一種二極管芯片窗口層的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810683194.8 | 申請日： | 2018-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN110660884A | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉程秀 | 申請（專利權(quán)）人： | 劉程秀 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214035 江蘇省無錫市梁*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 窗口層 金屬有機(jī)化合物 外延生長工藝 二極管材料 二極管芯片 發(fā)光二極管 銦錫氧化物 浸入 低溫生長 電流擴(kuò)展 控制窗口 上限制層 透光效果 外延生長 直流電流 層厚度 淀積法 生長 制作 | ||
1.一種二極管芯片窗口層的制作方法，主要利用銦錫氧化物（ITO）作為高亮度發(fā)光二極管芯片窗口層的生長方法，其布拉格反射層、下限制層、有源層、上限制層等均按已有工藝由計算機(jī)控制生長，其特征是在結(jié)束上限制層生長后，將樣品放入ITO專用MOCVD設(shè)備中，進(jìn)行銦錫氧化物（ITO）窗口層的生長方法。
2.根據(jù)權(quán)利1第一步在結(jié)束上限制層制作后，將樣品放入銦錫氧化物ITO專用MOCVD設(shè)備中，其特征在于控制制作溫度為320～460℃，反應(yīng)源二乙基銦錫的流量為10～35ml/Min，或二甲基銦錫流量為1～6ml/Min，反應(yīng)源四氫呋喃流量為100～320ml/Min，N型摻雜源三甲基鋁流量為1～17ml/Min，將反應(yīng)源二乙基銦錫或二甲基銦錫和四氫呋喃，以及摻雜源三甲基鋁由放空線轉(zhuǎn)入生長線生長25～65分鐘N型摻雜銦錫氧化物（ITO）材料作為窗口層。
3.根據(jù)權(quán)利1第二步將反應(yīng)源二乙基銦錫或二甲基銦錫和四氫呋喃以及摻雜源三甲基鋁由生長線轉(zhuǎn)入放空線，同時將生長溫度降至0～35℃，二乙基銦錫的流量降至0～6ml/Min，或二甲基銦錫的流量調(diào)至0～1ml/Min，反應(yīng)源四氫呋喃流量降至0～55ml/Min，N型摻雜源三甲基鋁的流量降至0～3ml/Min，至此，銦錫氧化物窗口層的生長結(jié)束，銦錫氧化物窗口層的厚度≤1.9μm。
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