[發(fā)明專利]一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置及其使用方法

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• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN108931494A
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘舜聰;黃異;范學(xué)騰;陳偉強
• 申請（專利權(quán)）人: 福州大學(xué)
• 主分類號: G01N21/3581
• 分類號: G01N21/3581
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊;吳志龍

1.一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，其特征在于，包括樣品池框架及固定于樣品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱鏡、所述樣品池框架中部具有鏤空部，三棱柱形高阻硅棱鏡的底面與鏤空部形成放置分辨物體的樣品池腔室，所述鏤空部的上表面可拆連接有樣品池蓋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，其特征在于，樣品池樣品池框架下部固定連接有底座，所述底座側(cè)部設(shè)置有線性移動平臺，所述線性移動平臺包括基板，所述基板上設(shè)置有縱向?qū)к墸隹v向?qū)к壣匣瑒优浜嫌谢顒影澹龌顒影鍌?cè)部延伸有固定塊，所述固定塊中部固定有調(diào)節(jié)螺桿，所述基板側(cè)部延伸有基座，所述調(diào)節(jié)螺桿的下端與基座螺紋配合，所述底座與活動板固定連接，通過調(diào)節(jié)螺桿實現(xiàn)活動板的上下移動。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，其特征在于，所述樣品池蓋與三棱柱形高阻硅棱鏡底面之間設(shè)置有密封圈。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，其特征在于，所述樣品池框架包括截面為U型的框架本體，所述樣品池框架下部固定連接有限位三棱柱形高阻硅棱鏡的支撐架，所述支撐架設(shè)置有一對且一對支撐架相向面具有與三棱柱形高阻硅棱鏡兩側(cè)相配合的斜面以限位三棱柱形高阻硅棱鏡。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，其特征在于，所述樣品池蓋經(jīng)貫穿的螺釘固定于樣品池框架上，所述螺釘上設(shè)置有蝶形螺母。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，其特征在于，所述線性移動平臺旁側(cè)固定連接有拐狀的線性移動平臺固定板。

7.一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置使用方法，其特征在于，利用如權(quán)利要求4所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置，具體包括以下步驟：

（1）將所述的線性移動平臺固定板固定在光學(xué)平臺上，從而將樣品池框架固定在光學(xué)平臺上；

（2）進行檢測時，在樣品池腔室中放入樣品，之后蓋上樣品池蓋使粉末樣品緊密分布在三棱柱形高阻硅棱鏡底部；

（3）在光學(xué)平臺旁側(cè)搭建好太赫茲系統(tǒng)中，太赫茲系統(tǒng)包括太赫茲發(fā)射器機及太赫茲探測器，太赫茲發(fā)射器機及太赫茲探測器分別設(shè)置于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置兩側(cè)，太赫茲發(fā)射器發(fā)射的太赫茲波從所述三棱柱形高阻硅棱鏡的一面平行入射，在棱鏡內(nèi)部發(fā)生衰減全反射，而后在棱鏡底部形成倏逝波與樣品進行反應(yīng)，從另一面平行射出，旋轉(zhuǎn)所述線性移動平臺的手柄，將所述三棱柱形高阻硅棱鏡調(diào)整到最佳位置，可以使得太赫茲探測器探測到的太赫茲信號強度達到最強，而后傳輸?shù)叫盘柼幚硐到y(tǒng)中，形成樣品的太赫茲檢測光譜。

8.根據(jù)權(quán)利要求書 7所述的一種基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置使用方法，其特征在于，所述基于高阻硅的太赫茲衰減全反射檢測裝置的采用PLA三維打印材料進行樣品池框架、支撐架、樣品池蓋、樣品池框架底座、線性移動平臺支撐板的制造。