[發(fā)明專(zhuān)利]一種銀納米線電磁屏蔽膜及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810682130.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-06-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110648801A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高彥峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 寧波山功新材料科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01B13/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01B13/00;H01B5/14;H05K9/00 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
| 地址： | 315399 浙江省寧*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銀納米線 銀納米線薄膜 電磁屏蔽膜 高分子溶液 涂覆 半嵌入式結(jié)構(gòu) 電磁屏蔽效率 電導(dǎo)率 導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò) 高分子基 恒溫條件 模具表面 模具分離 外部環(huán)境 混合物 固化劑 固化 制備 網(wǎng)絡(luò) | ||
1.一種銀納米線電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括：在模具表面涂覆銀納米線溶液，干燥得到銀納米線薄膜；以及將由高分子溶液和固化劑混合得到的高分子溶液混合物涂覆到所述銀納米線薄膜表面，恒溫條件下固化得到銀納米線@高分子基底的半嵌入式結(jié)構(gòu)，與模具分離得到所述銀納米線電磁屏蔽膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銀納米線溶液由銀納米線與溶劑混合得到，所述銀納米線的直徑在500 nm以下，所述溶劑水、甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇中至少一種，所述銀納米線溶液的固含量為1%~30 wt %。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述銀納米線薄膜的厚度為1～50μm，所述高分子溶液混合物涂覆厚度為0.1 mm～20 mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述固化劑為乙酸丁酯、過(guò)氧乙酸叔丁酯、叔丁基過(guò)氧化氫、過(guò)氧化環(huán)己酮、二月桂酸二丁基錫中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述高分子溶液中的高分子化合物與所述固化劑的質(zhì)量比為1:10~10:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述干燥的溫度為75℃～200℃，時(shí)間為3～50 分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述固化的溫度為40℃～100℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述模具為表面能在40 mN/m以下的材料，優(yōu)選聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚三氟氯乙烯中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述銀納米線溶液和/或所述高分子溶液混合物的涂覆方式為旋涂法、刮涂法、彎月法中的一種或者多種。
10.一種由權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的銀納米線電磁屏蔽膜。
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