[發(fā)明專利]一種立方晶系中位錯(cuò)柏氏矢量沿任意晶向投影矢量的計(jì)算方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810681882.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109030496A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閆志剛;鄭春雷;林耀軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 燕山大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88 |
| 代理公司: | 秦皇島一誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 13116 | 代理人: | 續(xù)京沙 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 矢量 晶向 位錯(cuò) 投影矢量 立方晶系 中位 透射電子顯微鏡 電子束方向 高分辨圖像 晶體學(xué)特征 操作過(guò)程 輔助工具 立方晶體 矢量分析 晶體的 帶軸 可用 編程 分析 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種立方晶系中位錯(cuò)柏氏矢量沿任意晶向投影矢量的計(jì)算方法,其內(nèi)容包括:計(jì)算位錯(cuò)柏氏矢量b和晶體晶向t的夾角θ;根據(jù)夾角θ計(jì)算出位錯(cuò)柏氏矢量b在晶向t上的分矢量bt;將計(jì)算出的矢量bt代入公式bp=b?bt中,可得出柏氏矢量b沿著晶體晶向t的投影矢量bp。本發(fā)明利用立方晶系晶體的特殊晶體學(xué)特征計(jì)算出位錯(cuò)柏氏矢量和任意晶向的夾角,進(jìn)而可以計(jì)算得出位錯(cuò)沿此晶向的投影矢量,可用于立方晶體不同晶帶軸上高分辨圖像的位錯(cuò)矢量分析。該方法具有操作過(guò)程簡(jiǎn)單易行,可快速準(zhǔn)確的計(jì)算出位錯(cuò)沿任意電子束方向(晶體晶向)的投影矢量;精確度高,可以方便的區(qū)分不同位錯(cuò)柏氏矢量;易于編程實(shí)現(xiàn),可作為透射電子顯微鏡精確分析的輔助工具。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種立方晶系中位錯(cuò)柏氏矢量沿任意晶向投影矢量的計(jì)算方法。
背景技術(shù)
位錯(cuò)是晶體材料中的重要缺陷,對(duì)材料的力學(xué)性能有十分重要的影響。研究表明位錯(cuò)的產(chǎn)生和運(yùn)動(dòng)能夠促進(jìn)材料的塑性變形;位錯(cuò)與第二相顆粒之間的相互作用,位錯(cuò)之間發(fā)生相互反應(yīng)以及位錯(cuò)纏結(jié)都能夠提高材料強(qiáng)度。在對(duì)納米晶材料中:位錯(cuò)的類型對(duì)材料的性能同樣具有重要影響,能夠產(chǎn)生不全位錯(cuò)的納米晶材料具有高強(qiáng)度、高塑性;而以全位錯(cuò)變形的納米晶材料,一般塑性較差。因此,確定材料中含有的位錯(cuò)類型以及位錯(cuò)組態(tài)是材料科學(xué)研究的首要任務(wù)。
材料中的位錯(cuò)可通過(guò)多種技術(shù)進(jìn)行檢測(cè):掃描電子顯微鏡,X射線晶體衍射儀,透射電子顯微鏡。掃描電鏡可通過(guò)兩種方式表征位錯(cuò):采用觀察樣品表面的位錯(cuò)腐蝕坑來(lái)表征材料中的位錯(cuò);直接觀察位錯(cuò)的掃描電鏡電子通道襯度技術(shù)(electron channelingcontrast in scanning electron microscopy)。X射線晶體衍射儀是通過(guò)衍射測(cè)量材料中的應(yīng)變量,再由應(yīng)變量計(jì)算出位錯(cuò)密度。透射電鏡是檢測(cè)材料中位錯(cuò)的重要手段:可通過(guò)透射電鏡明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像直接觀察到位錯(cuò);還可以通過(guò)樣品的傾轉(zhuǎn)和位錯(cuò)的消光來(lái)測(cè)量出位錯(cuò)的伯氏矢量;還可以獲取材料的高分辨透射圖像,直接觀察位錯(cuò)的原子圖像。掃描電鏡技術(shù)和X射線晶體衍射技術(shù)常用于宏觀統(tǒng)計(jì)位錯(cuò),透射電鏡技術(shù)常用于微觀觀察和分析材料中的位錯(cuò)。
隨著透射電子顯微鏡制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,透射電鏡的分辨率得到不斷提高,可以獲取清晰的原子級(jí)晶體缺陷(位錯(cuò),層錯(cuò),孿晶),特別是球差校正電鏡的產(chǎn)生,使得透射電鏡分辨率達(dá)到了亞唉級(jí)通過(guò)透射電鏡高分辨圖片可以進(jìn)行一系列位錯(cuò)分析,如:位錯(cuò)類型分析,位錯(cuò)伯氏矢量分析,位錯(cuò)之間的位錯(cuò)反應(yīng),微觀應(yīng)力分析(幾何相位分析)。由于透射電鏡的高分辨成像原理的限制,在使用高分辨原子圖像分析位錯(cuò)時(shí),所觀察到的位錯(cuò)圖像是晶體中位錯(cuò)沿著電子束方向的投影像,因此高分辨圖像上標(biāo)出的位錯(cuò)伯氏矢量也是晶體中位錯(cuò)伯氏矢量沿著電子束方向的投影矢量,超高分辨率的透射電鏡使得研究人員能夠從多個(gè)晶體晶向上獲取清晰晶體位錯(cuò)高分辨圖像,更好的理解和分析材料中的位錯(cuò),因此在分析高分辨位錯(cuò)圖像時(shí)需要計(jì)算不同位錯(cuò)沿著不同晶體晶向的投影矢量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種立方晶系中位錯(cuò)柏氏矢量沿任意晶向投影矢量的計(jì)算方法,有助于分析立方晶體位錯(cuò)在不同晶向上的高分辨原子圖像。
為了解決上述存在的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種立方晶系中位錯(cuò)柏氏矢量沿任意晶向投影矢量的計(jì)算方法,該方法的實(shí)現(xiàn)有賴于下述技術(shù)方案:
首先,定義晶體中位錯(cuò)的柏氏矢量b為[UbVbWb],晶體晶向t為[UtVtWt],bt為位錯(cuò)b在晶向t上的分矢量,bp為位錯(cuò)沿著晶體晶向t的投影矢量;
計(jì)算晶體中位錯(cuò)的柏氏矢量b沿著晶體晶向t的投影矢量bp的方法步驟如下:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于燕山大學(xué),未經(jīng)燕山大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810681882.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 基于減少的運(yùn)動(dòng)矢量預(yù)測(cè)候選對(duì)運(yùn)動(dòng)矢量進(jìn)行編碼和解碼的方法和設(shè)備
- 一種圖像解碼設(shè)備
- 圖像處理設(shè)備和圖像處理方法
- 圖像處理設(shè)備和圖像處理方法
- 圖像解碼設(shè)備和圖像解碼方法
- 級(jí)聯(lián)型三相變頻器的調(diào)制方法
- 方位矩陣計(jì)算方法及裝置
- 用于對(duì)運(yùn)動(dòng)矢量進(jìn)行編碼/解碼的方法和裝置
- 用于對(duì)運(yùn)動(dòng)矢量進(jìn)行編碼/解碼的方法和裝置
- 一種適用于矩陣變換器的空間矢量過(guò)調(diào)制方法及裝置
- 半導(dǎo)體襯底、半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體襯底的方法
- 生長(zhǎng)在刃型位錯(cuò)模板上的Ⅲ族氮化物器件
- 異質(zhì)外延生長(zhǎng)的氮化鎵位錯(cuò)密度測(cè)定方法
- 半導(dǎo)體晶片位錯(cuò)密度的檢測(cè)方法
- SiC晶片及SiC晶片的制造方法
- 一種基于張量分解和共同近鄰確定位錯(cuò)核結(jié)構(gòu)的方法
- 碳化硅外延基板和制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法
- 刃位錯(cuò)和螺位錯(cuò)垂直相接的位錯(cuò)線原子結(jié)構(gòu)的建模方法
- 砷化銦單晶片位錯(cuò)腐蝕液及位錯(cuò)腐蝕檢測(cè)方法
- 一種碳化硅襯底位錯(cuò)自動(dòng)識(shí)別方法及系統(tǒng)





