[發明專利]硅烷偶聯劑材料、柔性PI基板的制作方法及柔性PI基板半成品在審
| 申請號： | 201810681608.3 | 申請日： | 2018-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN108794747A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發明（設計）人： | 蘭松 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | C08G73/10 | 分類號： | C08G73/10;G02F1/1333;G09F9/30 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板 硅烷偶聯劑 制作 基板半成品 玻璃基板 化學鍵合 顯示器件 粘結層 過程中發生翹曲 玻璃基板表面 材料形成 緊密連接 制作過程 翹曲 應用 | ||
1.一種硅烷偶聯劑材料，其特征在于，結構通式為
其中，X指的是-NH2或-COOH；
R1、R2與R3指的是氯基、甲氧基與乙氧基中的一種；
Sp指的是以下三種基團中的一種：
(1)具有2～20個C原子的直鏈或支鏈化的烷基；
(2)具有2～20個C原子的直鏈或支鏈化的烷基中一個或多個CH2基團被苯基、環烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-或-CH＝CH-取代所得到的基團；
(3)具有2～20個C原子的直鏈或支鏈化的烷基中一個或多個H原子被F或Cl原子取代所得到的基團。
2.如權利要求1所述的硅烷偶聯劑材料，其特征在于，R1、R2與R3相同。
3.如權利要求2所述的硅烷偶聯劑材料，其特征在于，所述硅烷偶聯劑材料包括以下化合物中的一種或多種：
4.一種柔性PI基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1、提供一玻璃基板(10)，在所述玻璃基板(10)上均勻涂布硅烷偶聯劑溶液，對玻璃基板(10)上的有硅烷偶聯劑溶液進行烘烤固化形成粘結層(20)；所述硅烷偶聯劑溶液包括第一溶劑及如權利要求1-3任一項所述的硅烷偶聯劑材料；
步驟S2、在所述粘結層(20)上均勻涂布PI液，對所述粘結層(20)上的PI液進行初步烘烤固化形成PI薄膜(25)；
步驟S3、對所述粘結層(20)上的PI薄膜(25)進行烘烤固化形成PI基板(30)。
5.如權利要求4所述的柔性PI基板的制作方法，其特征在于，所述硅烷偶聯劑溶液中，硅烷偶聯劑材料的質量百分比為1～20％。
6.如權利要求4所述的柔性PI基板的制作方法，其特征在于，所述PI液包括第二溶劑與PAA；
所述步驟S3的具體步驟為：先對所述粘結層(20)上的PI薄膜(25)進行前烘烤制程，以使PI薄膜(25)內部的PAA脫水轉化為PI，然后再進行后烘烤制程，以使PAA脫水轉完全化為PI，所述后烘烤制程的烘烤溫度高于所述前烘烤制程的烘烤溫度。
7.如權利要求6所述的柔性PI基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述烘烤固化的溫度為100～150℃，時間為100～500s；
所述步驟S2中，所述初步烘烤固化的溫度為100～120℃，時間為5～20min；
所述步驟S3中，所述前烘烤制程的烘烤溫度為200～250℃，時間為20～60min；所述后烘烤制程的烘烤溫度為300～350℃，時間為5～15min。
8.如權利要求4所述的柔性PI基板的制作方法，其特征在于，還包括：步驟S4、通過激光鐳射的方式將所述PI基板(30)與粘結層(20)剝離。
9.一種柔性PI基板半成品，其特征在于，包括玻璃基板(10)、設于所述玻璃基板(10)上的粘結層(20)以及設于所述粘結層(20)上的PI基板(30)，所述粘結層(20)的材料包括如權利要求1-3任一項所述的硅烷偶聯劑材料。
10.如權利要求9所述的柔性PI基板半成品，其特征在于，還包括設于所述PI基板(30)上的保護層(40)。
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