[發明專利]進行初始化的方法、記憶裝置及其控制器以及電子裝置

有效

• 申請號: 201810681123.4
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN110308936B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 吳柏緯
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F9/4401
• 分類號: G06F9/4401;G06F3/06
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種用來于記憶裝置中進行初始化的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置。該方法包括：在該記憶裝置中的非揮發性內存上電以后，于該非揮發性內存中尋找空內存指針器，其中該空內存指針器是可應用于判斷該非揮發性內存是否為空的；以及依據該空內存指針器是否被找到，選擇性地跳過或進行于該非揮發性內存中的程序代碼信息搜尋，以完成該初始化，其中該初始化包括該記憶裝置的至少一初始設定，以及當該空內存指針器被找到，該程序代碼信息搜尋被跳過，否則，該程序代碼信息搜尋被進行。

技術領域

本發明是有關于閃存(Flash memory)的存取(access)，尤指一種用來于記憶裝置中進行初始化(initialization)的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置。

背景技術

近年來由于內存的技術不斷地發展，各種可攜式或非可攜式記憶裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS標準的記憶卡；又例如：固態硬盤；又例如：符合UFS或EMMC規格的嵌入式(embedded)存儲裝置)被廣泛地實施于諸多應用中。因此，這些記憶裝置中的內存的存取控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可區分為單階細胞(single level cell,SLC)與多階細胞(multiple level cell,MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞(memory cell)的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管的存儲能力則被充分利用，是采用較高的電壓來驅動，以通過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄至少兩組比特信息(諸如00、01、11、10)；理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的至少兩倍，這對于曾經在發展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關產業而言，是非常好的消息。

相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的記憶裝置競相采用的主流。然而，多階細胞閃存的不穩定性所導致的問題也一一浮現。為了確保記憶裝置對閃存的存取控制能符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數據的存取。

依據相關技術，有了這些管理機制的記憶裝置還是有不足的處。舉例來說，在采用較新的技術制造閃存的狀況下，具備大容量的記憶裝置的開機時間可能很長。尤其是，對于安裝有降級的閃存裸晶(downgraded flash die)的記憶裝置，可能會發生各種問題，諸如初始化的時間需要更長、初始化失敗等。因此，需要一種新穎的方法及相關架構，以在沒有副作用或較不可能帶來副作用的狀況下提升記憶裝置的效能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用來于記憶裝置中進行初始化(initialization)的方法、相關的記憶裝置及其控制器、以及電子裝置，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于提供一種用來于記憶裝置中進行初始化的方法、相關的記憶裝置及其控制器、以及電子裝置，以在沒有副作用或較不可能帶來副作用的狀況下達到記憶裝置的優化(optimal)效能。

本發明的至少一實施例提供一種用來于記憶裝置中進行初始化的方法，其中該記憶裝置包括非揮發性內存(non-volatile memory,NV memory)，該非揮發性內存包括一個或多個非揮發性內存組件(NV memory element)，該一個或多個非揮發性內存組件包括復數個區塊(block)。該方法包括：在該非揮發性內存上電以后，于該非揮發性內存中尋找空內存指針器(empty memory indicator)，其中該空內存指針器是可應用于(applicableto)判斷該非揮發性內存是否為空的；以及依據該空內存指針器是否被找到，選擇性地跳過(skip)或進行于該非揮發性內存中的程序代碼信息搜尋，以完成該初始化，其中該初始化包括該記憶裝置的至少一初始設定，以及當該空內存指針器被找到，該程序代碼信息搜尋被跳過，否則，該程序代碼信息搜尋被進行。