[發明專利]晶圓加工方法

有效

• 申請號: 201810678650.X
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108878342B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 牛小龍;徐相英;姜曉飛
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊;袁文婷

本發明提供一種晶圓加工方法，包括：在承載晶圓的表面涂覆磁性粒子；將待加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上，其中，鍵合后的待加工晶圓與承載晶圓之間形成有金屬固化層，并且磁性粒子位于承載晶圓與待加工晶圓之間；對待加工晶圓進行加工，加工后的晶圓為成品晶圓；在承載晶圓的下方放置磁鐵，磁鐵移動并帶動磁吸粒子產生位移，使得磁吸粒子切割所述金屬固化層，承載晶圓與成品晶圓之間出現縫隙；將激光照射在成品晶圓上，使得成品晶圓從承載晶圓上剝離。利用本發明，能夠解決傳統的晶圓加工方法能量消耗大和成本大等問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，更為具體地，涉及一種晶圓加工方法。

背景技術

近年來，隨著半導體器件不斷響應“更快、更便宜、更小”的需求，為滿足制造需求，減薄晶圓已是大勢所趨，但超薄器件晶圓具有柔性和易碎性，容易翹曲和起伏，因此需要一種支撐系統來使加工順利進行。在此背景下，臨時鍵合/解鍵合技術應運而生。將待加工的晶元與承載晶元進行鍵合，鍵合后對待加工晶元進行加工處理，由于有承載晶元的補強，待加工晶元不容易產生翹曲和起伏。待加工晶元加工完成后，將待加工晶元與承載晶元進行剝離。傳統往往采用激光或者溶劑剝離，消耗的能量或者成本較大，例如激光剝離的成本在數千美元/小時。

為解決上述問題，本發明提供了一種新的晶圓加工方法。

發明內容

鑒于上述問題，本發明的目的是提供一種晶圓加工方法，以解決傳統的晶圓加工方法能量消耗大和成本大等問題。

本發明提供一種晶圓加工方法，包括：

在承載晶圓的表面涂覆磁性粒子；

將待加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上，其中，鍵合后的待加工晶圓與承載晶圓之間形成有金屬固化層，并且所述磁性粒子位于所述承載晶圓與所述待加工晶圓之間；

對所述待加工晶圓進行加工，加工后的晶圓為成品晶圓；

在所述承載晶圓的下方放置磁鐵，所述磁鐵移動并帶動所述磁吸粒子產生位移，使得所述磁吸粒子切割所述金屬固化層，所述承載晶圓與所述成品晶圓之間出現縫隙；

將激光照射在所述成品晶圓上，使得所述成品晶圓從所述承載晶圓上剝離。

此外，優選的方案是，在將待加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上之前，將涂覆磁吸粒子的溶劑揮發。

此外，優選的方案是，通過小于300nm波長的激光將待加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上。

此外，優選的方案是，所述成品晶圓的厚度為50-100nm。

此外，優選的方案是，在將激光照射在所述成品晶圓上，使得所述成品晶圓從所述承載晶圓上剝離的過程中，激光的波長為400-600nm。

此外，優選的方案是，對所述待加工晶圓進行加工的過程包括：減薄、蝕刻、圖案化或者金屬化中的一種或幾種。

此外，優選的方案是，所述成品晶圓從所述承載晶圓上剝離之后，對所述成品晶圓和所述承載晶圓進行清洗，獲得所需的成品晶圓。

從上面的技術方案可知，本發明提供的晶圓加工方法，通過在承載晶圓的下方設置磁鐵，吸引承載晶圓上面的磁性粒子，讓承載晶圓上面的磁性粒子產生輕微移動，這樣就會使兩個晶圓之間產生微縫，再采用激光工藝在晶圓上以最小力控制載體從承載晶圓上剝離，再執行成品晶圓和承載晶圓的清洗，采用本發明的晶圓加工工藝，可以大大減少激光分離的時間，節省生產成本的同時提高生產效率。

為了實現上述以及相關目的，本發明的一個或多個方面包括后面將詳細說明的特征。下面的說明以及附圖詳細說明了本發明的某些示例性方面。然而，這些方面指示的僅僅是可使用本發明的原理的各種方式中的一些方式。此外，本發明旨在包括所有這些方面以及它們的等同物。

附圖說明