[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法及準(zhǔn)全向分析方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810675157.2
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108878549B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈文忠;莊宇峰;鐘思華;李正平
• 申請（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/028;H01L31/18
• 代理公司: 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，將硅片置于含金屬離子溶液中，使硅片表面沉積一層金屬納米顆粒，得到附有金屬納米顆粒的硅片；

步驟二，將所述附有金屬納米顆粒的硅片浸入酸性溶液或堿性溶液中，使所述硅片表面形成納米結(jié)構(gòu)，得到表面附有納米結(jié)構(gòu)的硅片；

步驟三，將所述表面附有納米結(jié)構(gòu)的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附著的金屬納米顆粒，得到制絨的硅片；

步驟四，將所述表面附有納米結(jié)構(gòu)的硅片制備成太陽電池；

步驟五，對所述太陽電池進(jìn)行準(zhǔn)全向分析，包括以下步驟：

1)測試所述太陽電池的性能參數(shù)，所述性能參數(shù)包括開路電壓、短路電流密度、填充因子、轉(zhuǎn)換效率和不同入射角下的外量子效率；

2)根據(jù)所述性能參數(shù)計(jì)算得出所述太陽電池在一天中不同入射角下的短路電流密度，根據(jù)所述性能參數(shù)及所述短路電流密度計(jì)算得出所述太陽電池的反向飽和電流密度和在一天中不同入射角下的開路電壓；

3)根據(jù)所述短路電流密度及所述開路電壓計(jì)算得出所述太陽電池在一天中不同入射角下的發(fā)電功率，通過積分的方式計(jì)算得出所述太陽電池一天內(nèi)的發(fā)電總量；

4)采用對比的方法分析所述太陽電池的準(zhǔn)全向性，所述對比的方法是指選取對比太陽電池，并經(jīng)過所述步驟1)，所述步驟2)和所述步驟3)計(jì)算得到所述對比太陽電池的發(fā)電功率和發(fā)電總量，所述太陽電池和所述對比太陽電池的發(fā)電功率進(jìn)行對比的方法及所述太陽電池和所述對比太陽電池的發(fā)電總量進(jìn)行對比的方法。

2.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，所述步驟三中的酸性溶液為硝酸溶液。

3.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，所述步驟四中的太陽電池為同質(zhì)結(jié)太陽電池或異質(zhì)結(jié)太陽電池。

4.如權(quán)利要求3所述的實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，所述同質(zhì)結(jié)太陽電池的工藝流程設(shè)置為將所述表面附有納米結(jié)構(gòu)的硅片依次經(jīng)過擴(kuò)散、刻蝕、去磷硅玻璃、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、絲網(wǎng)印刷及燒結(jié)。

5.如權(quán)利要求3所述的實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)太陽電池的工藝流程設(shè)置為將所述表面附有納米結(jié)構(gòu)的硅片經(jīng)過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、絲網(wǎng)印刷及燒結(jié)。

6.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，所述步驟五中的所述開路電壓、所述短路電流密度、所述填充因子和所述轉(zhuǎn)換效率在AM1.5光譜下進(jìn)行測試。

7.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)全向硅太陽電池的方法，其特征在于，所述步驟五中的所述不同入射角下的外量子效率在量子效率測試儀上進(jìn)行測試。