[發明專利]半導體基底、半導體元件及半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201810672037.7
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN110649132B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 陳孟揚;李榮仁
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/30;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體基底、半導體元件及半導體元件的制造方法。半導體基底包含一第一半導體層以及一第二半導體層，且第二半導體層位于第一半導體層之上。第一半導體層具有一第一晶格常數(L1)，而第二半導體層具有一第二晶格常數(L2)，且第二晶格常數與第一晶格常數的差值(L2?L1)與第一晶格常數(L1)的比值大于0.036。

技術領域

本發明涉及一種半導體基底。

背景技術

發光二極管被廣泛地用于固態照明光源。相較于傳統的白熾燈泡和熒光燈，發光二極管具有耗電量低以及壽命長等優點，因此發光二極管已逐漸取代傳統光源，并且應用于各種領域，如交通號志、背光模塊、路燈照明、醫療設備等。

發明內容

本發明提供一種半導體基底，包含一第一半導體層以及一第二半導體層，且第二半導體層位于第一半導體層之上。第一半導體層包含一第一晶格常數L1，而第二半導體層包含一第二晶格常數L2，且第二晶格常數與第一晶格常數的差值(L2-L1)與第一晶格常數L1的比值大于0.036。

本發明也提供一種半導體基底的制造方法，包含以下步驟：提供一成長基板；外延成長一第一半導體層于成長基板之上，其中第一半導體層包含一第一晶格常數L1；以及，外延成長一第二半導體層于第一半導體層之上，其中第二半導體層包含一第二晶格常數L2，且第二晶格常數與第一晶格常數的差值(L2-L1)與第一晶格常數L1的比值大于0.036。

附圖說明

圖1為本發明一實施例所揭示半導體基底的剖面示意圖；

圖2為本發明另一實施例所揭示半導體基底的剖面示意圖；

圖3A至圖3E為本發明實施例所揭示的半導體元件的制造流程剖面示意圖；

圖4為本發明所揭示的半導體元件的剖面示意圖；

圖5為本發明實施例1所揭示半導體基底(1)的穿透式電子顯微鏡圖譜；

圖6為本發明比較例1所揭示半導體基底(2)的穿透式電子顯微鏡圖譜；

圖7為本發明比較例1所揭示半導體基底(2)上表面的掃描式電子顯微鏡圖譜；

圖8為本發明實施例2所揭示半導體基底(3)上表面的掃描式電子顯微鏡圖譜。

符號說明

10 半導體基底

12 第一半導體層

14、200 第二半導體層

15、17 界面

16、100 成長基板

18 承載基板

19 功能結構

20 粘結層

21 第三半導體層

22 第四半導體層

23 第一電極

24 第二電極

141 第一側

142 第二側

C 結晶缺陷

D1、D2 延伸方向

D3 外延方向

T₁ 第一厚度

T₂ 第二厚度

TD1、TD2、TD 貫穿式差排

θ1、θ2 夾角