[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法及其OLED器件應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810672025.4
• 申請(qǐng)日: 2018-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108727596A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚榮遷;鐘磊;盧佳敏;劉樂(lè)雨;廖亮;鐘躍進(jìn);金超
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C08G77/60
• 分類(lèi)號(hào): C08G77/60;C09K11/06
• 代理公司: 廈門(mén)南強(qiáng)之路專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應(yīng)森

1.有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

所述有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料為側(cè)鏈含蒽基的PCS發(fā)光材料，其結(jié)構(gòu)通式如下：

將研磨成粉的PCS和9-乙烯基蒽分別溶解于二甲苯中，并向9-乙烯基蒽的二甲苯溶液中加入催化劑，活化后將PCS和9-乙烯基蒽的溶液混合置于容器中；設(shè)置好升溫程序，在惰性氣體氣氛下保溫，發(fā)生反應(yīng)，待反應(yīng)結(jié)束后讓整個(gè)體系自然冷卻至室溫；將反應(yīng)后的混合溶液進(jìn)行負(fù)壓旋轉(zhuǎn)蒸餾以除去溶劑，得到淡黃色固體，再干燥，即得有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料。

2.如權(quán)利要求1所述有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法，其特征在于所述催化劑為氯鉑酸。

3.如權(quán)利要求1所述有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法，其特征在于所述惰性氣體為氬氣等，氬氣流量為30～40mL/min；所述容器可采用三口燒瓶。

4.如權(quán)利要求1所述有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法，其特征在于所述設(shè)置好升溫程序是以5℃/min升至80～100℃，保溫1～10h；所述干燥是在真空干燥箱80～150℃干燥，保溫1～5h。

5.如權(quán)利要求1所述有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法，其特征在于所述9-乙烯基蒽與催化劑的質(zhì)量體積比為1g︰(1～3mL)；PCS與9-乙烯基蒽的質(zhì)量比為(5～10)︰1；所述9-乙烯基蒽與二甲苯的質(zhì)量體積比為1g︰(50～100mL)；所述PCS與二甲苯的質(zhì)量體積比為1g︰(10～30mL)。

6.如權(quán)利要求5所述有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料的制備方法，其特征在于所述9-乙烯基蒽與催化劑的質(zhì)量體積比為1g︰2mL；PCS與9-乙烯基蒽的質(zhì)量比為6︰1；所述9-乙烯基蒽與二甲苯的質(zhì)量體積比為1g︰60mL；所述PCS與二甲苯的質(zhì)量體積比為1g︰10mL。

7.有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料在OLED器件中應(yīng)用。

8.如權(quán)利要求7所述應(yīng)用，其特征在于所述OLED器件從下至上設(shè)有基板、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注放層和陰極。

9.如權(quán)利要求8所述應(yīng)用，其特征在于所述OLED器件的的發(fā)光層摻雜使用合成的有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料，其中的受摻雜的發(fā)光層主體材料為BCPO、mCP、PPF、DPEPO中的一種，優(yōu)選BCPO；摻雜比例為10％～50％；其中的陽(yáng)極材料為ITO、ZnO、AZO(Al:ZnO)中的一種；其中的陰極材料為Mg、Al、Ag或相應(yīng)的合金材料中的一種；其中的電子注入層材料可LiF、MgF₂、Al₂O₃中的一種；其中的電子傳輸層材料為DPVBi、ZnSPB、TPBi中的一種；所述空穴傳輸層材料為T(mén)PD、TDATA、TFB中的一種；所述空穴注入層材料為T(mén)CNQ、HAT-CN、PEDOT:PSS中的一種；其中電子傳輸層和發(fā)光層之間還加入空穴阻擋層，所用材料為DPVBi、DPEPO、BCP中的一種。

10.如權(quán)利要求9所述應(yīng)用，其特征在于所述OLED器件的的發(fā)光層摻雜使用合成的有機(jī)硅聚合物發(fā)光材料，其中的受摻雜的發(fā)光層主體材料為BCPO；摻雜比例為20％；其中的陽(yáng)極材料為ITO；其中的陰極材料為Al；其中的電子注入層材料為L(zhǎng)iF；其中的電子傳輸層材料為T(mén)PBi；所述空穴傳輸層材料為T(mén)FB；所述空穴注入層材料為PEDOT:PSS；其中電子傳輸層和發(fā)光層之間還加入空穴阻擋層，所用材料為DPEPO。