[發(fā)明專利]太陽能電池與其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810671966.6 | 申請日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN110649107A | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張新勇 | 申請(專利權)人: | 東泰高科裝備科技(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0304 | 分類號: | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司: | 11240 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 韓建偉;霍文娟 |
| 地址: | 102200 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子結構 摻雜類型 疊置 太陽能電池 電池單元 周期結構 基層 背場層 發(fā)射層 摻雜 超晶格結構層 光電轉換效率 襯底表面 多個電池 本征層 摻雜層 襯底 申請 制作 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池與其制作方法。該太陽能電池包括襯底和依次疊置設置在襯底表面上的多個電池單元,各電池單元包括依次疊置設置的背場層、基層與發(fā)射層,各電池單元中的基層不同,其中,背場層的摻雜類型與基層的摻雜類型相同,基層與發(fā)射層形成PN結,至少一個基層為包括多個疊置且相同的周期結構的超晶格結構層;各周期結構包括疊置設置的第一子結構層和第二子結構層,第一子結構層的摻雜類型和第二子結構層中的摻雜類型相同,且第一子結構層的摻雜濃度大于第二子結構層中的摻雜濃度;或者,第一子結構層為摻雜層,第二子結構層為本征層。該太陽能電池的光電轉換效率較高。
技術領域
本申請涉及太陽能電池領域,具體而言,涉及一種太陽能電池與其制作方法。
背景技術
隨著節(jié)能減排運動的興起,太陽能電池的應用越來越廣泛。基于質量小、體積小、可彎曲以及制作工藝簡單這些特點,太陽能電池作也被越來越廣泛地應用。
目前,單結的太陽能電池主要包括襯底、基層以及發(fā)射層,其中,基層中的少子的壽命對電池效率有很大的影響,一般地,基層需要進行一定的摻雜使其成為N型或者P型結構層,但是,由于摻雜源與晶體本身原子大小的區(qū)別,在基層摻雜的過程中會引入大量的缺陷,這樣會大大降低基層中少子的壽命,從而限制了太陽能電池的轉換效率。
在背景技術部分中公開的以上信息只是用來加強對本文所描述技術的背景技術的理解,因此,背景技術中可能包含某些信息,這些信息對于本領域技術人員來說并未形成在本國已知的現(xiàn)有技術。
發(fā)明內容
本申請的主要目的在于提供一種太陽能電池與其制作方法,以解決現(xiàn)有技術中的太陽能電池轉換效率較低的問題。
為了實現(xiàn)上述目的,根據本申請的一個方面,提供了一種太陽能電池,該太陽能電池包括襯底和依次疊置設置在上述襯底表面上的多個電池單元,各上述電池單元包括依次疊置設置的背場層、基層與發(fā)射層,各上述電池單元中的基層不同,其中,上述背場層的摻雜類型與上述基層的摻雜類型相同,上述基層與上述發(fā)射層形成PN結,至少一個上述基層為包括多個疊置且相同的周期結構的超晶格結構層;各上述周期結構包括疊置設置的第一子結構層和第二子結構層,上述第一子結構層的摻雜類型和上述第二子結構層中的摻雜類型相同,且上述第一子結構層的摻雜濃度大于上述第二子結構層中的摻雜濃度;或者,上述第一子結構層為摻雜層,上述第二子結構層為本征層。
進一步地,上述第一子結構層的摻雜濃度在1e18~1e22/cm3之間,上述第二子結構層中的摻雜濃度在0~1e18/cm3之間。
進一步地,上述基層的厚度在500~5000nm之間。
進一步地,上述第一子結構層有2~200個,上述第一子結構層和第二子結構層的個數相同。
進一步地,上述第一子結構層和/或上述第二子結構層的厚度在2.5-250nm之間。
進一步地,上述太陽能電池為III/V太陽能電池,上述第一子結構層的材料和上述第二子結構層的材料相同且選自GaAs、InP、GaN和InAGa1-AP中的一種,其中,0.4≤A≤0.6。
進一步地,相鄰的兩個上述電池單元之間設置有隧道結層。
進一步地,上述隧道結層包括沿遠離上述襯底的方向依次疊置設置的第一子隧道結層和第二子隧道結層,與上述隧道結層相鄰的兩個上述電池單元分別為第一電池單元和第二電池單元,上述第一電池單元與上述襯底的距離小于上述第二電池單元與上述襯底的距離,上述第一子隧道結層的摻雜類型與和上述第一電池單元中的上述基層的摻雜類型相反,上述第二子隧道結層的摻雜類型與上述第一子隧道結層的摻雜類型相反。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





