[發(fā)明專利]開關(guān)電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810671674.2
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN110649920A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡佳琪;高立龍
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 11240 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁麗超;李子光

一種開關(guān)電路，包含：一開關(guān)以及一電位平移電路。該開關(guān)包含一導(dǎo)通端點以及一輸入端點，該輸入端點系用以接收一輸入電壓，而該導(dǎo)通端點上的一導(dǎo)通電壓控制該開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。該電位平移電路包含一電位輸入端點以及一電位輸出端點，其中該電位輸入端點耦接至該輸入端點以接收該輸入電壓，該電位平移電路系用以平移該輸入電壓以產(chǎn)生一平移電壓于該電位輸出端點，以及該導(dǎo)通電壓系由該平移電壓所決定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明系有關(guān)于一開關(guān)電路，尤指一種線性度高、適用于負電壓操作且能應(yīng)用于高功率輸出的音頻產(chǎn)品的電路。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的模擬開關(guān)通常以傳輸門(transmission gate)來實現(xiàn)，利用P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)以及N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的并聯(lián)來降低等效阻抗，并同時增加線性度，但除非付出相當大的面積成本，達到的規(guī)格仍不足以提供音頻產(chǎn)品使用，且由于金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的源極端與基極會連結(jié)在一起，一旦輸入電壓為負電壓，則會透過P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的基極與P型基板(P-substrate)導(dǎo)通造成漏電流，因此，以傳輸門來實現(xiàn)的開關(guān)電路不適于，舉例來說，接地參考(ground reference)耳機放大器(headphoneamplifier,HP_AMP)等產(chǎn)品的使用，而這是目前音頻產(chǎn)品經(jīng)常使用之架構(gòu)，用以節(jié)省零件的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種開關(guān)電路來解決先前技術(shù)中的問題，其中該開關(guān)電路具有線性度高且不受輸入電壓的負電壓影響的特性。

根據(jù)本發(fā)明的一實施例，揭露一種開關(guān)電路，包含:一開關(guān)以及一電位平移電路，其中該開關(guān)包含一導(dǎo)通端點以及一輸入端點，該輸入端點系用以接收一輸入電壓，而該導(dǎo)通端點上的一導(dǎo)通電壓控制該開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)；該電位平移電路包含一電位輸入端點以及一電位輸出端點，其中該電位輸入端點耦接至該輸入端點以接收該輸入電壓，該電位平移電路系用以平移該輸入電壓以產(chǎn)生一平移電壓于該電位輸出端點，以及該導(dǎo)通電壓系由該平移電壓所決定。

附圖說明

圖1系根據(jù)本發(fā)明一實施例之開關(guān)電路的示意圖。

圖2系根據(jù)本發(fā)明一實施例之電位平移電路的示意圖。

圖3系根據(jù)本發(fā)明另一實施例之電位平移電路的示意圖。

具體實施方式

在說明書及后續(xù)的權(quán)利要求書當中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個組件。本說明書及后續(xù)的權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準則。在通篇說明書及后續(xù)的請求項當中所提及的「包含」系為一開放式的用語，故應(yīng)解釋成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一詞在此系包含任何直接及間接的電氣連接手段，因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第二裝置，或者透過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。