[發明專利]一種基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法在審
| 申請號: | 201810671279.4 | 申請日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN108878351A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 湯自榮;李俊杰;馮辰;史鐵林;梁琦;廖廣蘭 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 張彩錦;曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 銀離子 自還原 漿料 鍵合 低溫鍵合 均勻涂覆 鍵合基 低溫鍵合技術 電子封裝技術 漿料分散性 銀納米顆粒 制備銀納米 鍵合壓力 低成本 互連鍵 金屬銀 配制 儲存 應用 | ||
1.一種基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,包括如下步驟:
a)配制可自還原的銀離子漿料;
b)將可自還原的銀離子漿料均勻涂覆至待鍵合基底的表面;
c)在一定的鍵合溫度、鍵合壓力及鍵合時間下實現待鍵合基底的鍵合。
2.根據權利要求1所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,所述可自還原的銀離子漿料由10~30wt%檸檬酸銀、10~30wt%還原劑以及40~80wt%粘度調節溶劑混合而成,并且檸檬酸銀、還原劑與粘度調節溶劑的質量百分數之和為100wt%。
3.根據權利要求2所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,所述檸檬酸銀由硝酸銀溶液與檸檬酸鈉溶液經置換反應后,通過抽濾、干燥獲得。
4.根據權利要求2所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,所述還原劑優選為能使檸檬酸銀絡合溶解且在低溫鍵合中還原銀離子并逐漸揮發的有機胺類液體還原劑,所述還原劑為異丙醇胺、異丁醇胺、乙醇胺、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺、1,2丙二胺中的一種或多種的組合。
5.根據權利要求2所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,所述粘度調節溶劑優選為能在低溫鍵合中揮發且可調節粘度的有機溶劑,所述粘度調節溶劑為甲醇、乙醇、乙二醇、正丁醇、異丙醇、一縮二乙二醇、丙三醇、叔丁醇、松油醇中的一種或多種的組合。
6.根據權利要求2所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,配制可自還原的銀離子漿料后,將銀離子漿料隨燒瓶置于冰水混合物中,以500rpm~1500rpm的轉速磁力攪拌15min~60min,以使得檸檬酸銀、還原劑與粘度調節溶劑充分混合。
7.根據權利要求2所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,配制可自還原的銀離子漿料后,將銀離子漿料置于恒溫槽中,然后將恒溫槽溫度調節至0~10℃,以500rpm~1500rpm的轉速機械攪拌15min~60min,以使得檸檬酸銀、還原劑與粘度調節溶劑充分混合。
8.根據權利要求2-7任一項所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,所述鍵合溫度為140℃~200℃、鍵合壓力為0.1MPa~10MPa、鍵合時間為5min~60min。
9.根據權利要求2-8任一項所述的基于可自還原銀離子漿料的低溫鍵合方法,其特征在于,鍵合基底為具有金屬表面的硬質基底,優選為銅片、銀片、鍍有銅膜或銀膜的硅片、鍍有銅膜或銀膜的氮化鎵基底、鍍有銅膜或銀膜的碳化硅基底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





