[發(fā)明專利]P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810669966.2
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN110718604A
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王懿喆;易武雄;潘鼎鼎;張衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 上海硅洋新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 31297 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 鄧文武

1.一種P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于包括如下步驟：

S1:在P型太陽能硅片的受光面生成穩(wěn)定的PN⁺結(jié)；

S2:將步驟S1所得P型太陽能硅片放入真空環(huán)境中，在P型太陽能硅片的背光面形成P型摻雜材料膜層（301）；

S3:對步驟S2所得P型太陽能硅片進(jìn)行加工，在所述P型摻雜材料膜層（301）表面形成一層帶負(fù)電荷的氧化物膜層（401）；

S4:將步驟S3所得P型太陽能硅片放入氧化爐中、對氧化爐內(nèi)輸入氮?dú)庑纬蔁o氧環(huán)境、在無氧環(huán)境中對P型太陽能硅片進(jìn)行退火熱處理，在P型太陽能硅片的背光面形成背場（501）；

S5:對氧化爐內(nèi)輸入氧氣形成有氧環(huán)境、在有氧環(huán)境中對P型太陽能硅片繼續(xù)熱處理，在P型太陽能硅片的背光面形成背鈍化層（601）；

S6:對氧化爐降溫、從氧化爐中取出P型太陽能硅片并冷卻。

2.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S2中，通過熱蒸發(fā)或磁控濺射的方式在P型太陽能硅片的背光面形成P型摻雜材料膜層。

3.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S3中，通過熱蒸發(fā)或磁控濺射的方式在P型摻雜材料膜層上生成帶負(fù)電荷的氧化物膜層。

4.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S2所述P型摻雜材料膜層的厚度為0.5nm-10nm。

5.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S2所述真空環(huán)境的真空度為10^-2~-¹⁰Pa。

6.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S2所述P型摻雜材料膜層采用采用高純鋁單質(zhì)、鋁硼合金、鋁鎵合金中的任一種。

7.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S5所述背鈍化層的厚度為10nm~500nm。

8.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S5中對氧化爐內(nèi)輸入氧氣，使氧化爐中的氧氣比例達(dá)到5%-50%。

9.如權(quán)利要求1所述P型晶硅太陽能電池的背場及背鈍化層制備方法，其特征在于：步驟S4中熱處理的溫度范圍為500~850℃，熱處理持續(xù)時(shí)間為0.5-60分鐘。