[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)采集電路、讀數(shù)據(jù)窗口的控制方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810669265.9 | 申請日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN110648703B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃帥;王煥東;劉志佳 | 申請(專利權(quán))人: | 龍芯中科技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/4091 | 分類號: | G11C11/4091;G11C11/4076 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張芳;劉芳 |
| 地址: | 100095 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)據(jù) 采集 電路 讀數(shù) 窗口 控制 方法 裝置 | ||
1.一種數(shù)據(jù)采集電路,其特征在于,包括:
延時電路,用于在用于讀數(shù)據(jù)的首個數(shù)據(jù)選通信號DQS的讀前導(dǎo)區(qū)域內(nèi),確定初始門信號與所述首個DQS上升沿的相位關(guān)系,生成第一門延遲信號;
與所述延時電路連接的下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路,所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路接收每個存儲體對應(yīng)的DQS信號,接收所述延時電路輸出的所述第一門延遲信號;在每個存儲體對應(yīng)的DQS的第一個下降沿,采集所述第一門延遲信號,得到每個存儲體對應(yīng)的第二門延遲信號的起始位置,生成每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號;
與所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路和所述延時電路連接的選擇電路,所述選擇電路用于根據(jù)每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號,或者根據(jù)所述第一門延遲信號和每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號,確定DDRx SDRAM存儲器中的每個存儲體對應(yīng)的讀數(shù)據(jù)窗口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)采集電路,其特征在于,
所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路,還用于根據(jù)預(yù)設(shè)計數(shù)值,確定每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號的信號寬度;根據(jù)所述第二門延遲信號的起始位置和所述信號寬度,生成每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)采集電路,其特征在于,
所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路,還用于根據(jù)讀命令的突發(fā)長度BL,確定所述預(yù)設(shè)計數(shù)值;當(dāng)所述DDRx SDRAM為DDR4型存儲器時,確定所述預(yù)設(shè)計數(shù)值=BL/2-2,所述第二門延遲信號的信號寬度為所述預(yù)設(shè)計數(shù)值+1個時鐘周期;當(dāng)所述DDRx SDRAM為DDR2型或DDR3型存儲器時,確定所述預(yù)設(shè)計數(shù)值=BL/2-1,所述第二門延遲信號的信號寬度為所述預(yù)設(shè)計數(shù)值+1個時鐘周期。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)采集電路,其特征在于,所述選擇電路包括:或門、選擇器;
所述或門與所述延時電路和所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路分別連接,用于接收所述延時電路輸出的所述第一門延遲信號,接收所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路輸出的所述第二門延遲信號;對所述第一門延遲信號和所述第二門延遲信號進行或運算,得到或處理后的門延遲信號;
所述選擇器與所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路和所述或門分別連接,用于在所述DDRxSDRAM為DDR4型存儲器時,選通所述下降沿產(chǎn)生門延遲信號電路輸出的所述第二門延遲信號;確定所述DDR4型存儲器中的每個存儲體對應(yīng)的讀數(shù)據(jù)窗口為每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號的信號寬度;還用于在所述DDRx SDRAM為DDR2型或DDR3型存儲器時,選通所述或門輸出的所述或處理后的門延遲信號;確定所述DDR2型或DDR3型存儲器中的每個存儲體對應(yīng)的讀數(shù)據(jù)窗口為每個存儲體對應(yīng)的所述或處理后的門延遲信號的信號寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項所述的數(shù)據(jù)采集電路,其特征在于,所述第一門延遲信號的信號寬度小于等于讀命令的突發(fā)長度BL/2。
6.一種內(nèi)存控制器,其特征在于,包括:門信號生成模塊,還包括權(quán)利要求1~5任一項所述的數(shù)據(jù)采集電路;其中,所述門信號生成模塊用于在所述內(nèi)存控制器發(fā)出讀取DDRxSDRAM內(nèi)存數(shù)據(jù)的讀命令后,生成所述初始門信號;所述數(shù)據(jù)采集電路中的所述延時電路與所述門信號生成模塊連接,用于接收所述初始門信號。
7.一種讀數(shù)據(jù)窗口的控制方法,其特征在于,包括:
在用于讀數(shù)據(jù)的首個數(shù)據(jù)選通信號DQS的讀前導(dǎo)區(qū)域內(nèi),確定初始門信號與所述首個DQS上升沿的相位關(guān)系,生成第一門延遲信號;
在每個存儲體對應(yīng)的DQS的第一個下降沿,采集所述第一門延遲信號,得到每個存儲體對應(yīng)的第二門延遲信號的起始位置,生成每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號;
根據(jù)每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號,或者根據(jù)所述第一門延遲信號和每個存儲體對應(yīng)的所述第二門延遲信號,確定DDRx SDRAM存儲器中的每個存儲體對應(yīng)的讀數(shù)據(jù)窗口。
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