[發(fā)明專利]金剛石基氮化鎵器件制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810667077.2 | 申請日： | 2018-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN108598036B | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 倪賢鋒;范謙;何偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州漢驊半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金剛石 氮化 器件 制造 方法 | ||
1.一種金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，包括：
在襯底上生長氮化鎵緩沖層；
在所述氮化鎵緩沖層上粘合臨時載片；
去除所述襯底，并倒置形成的臨時載片-氮化鎵緩沖層結(jié)構(gòu)；
在倒置后的氮化鎵緩沖層上形成介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層上按預設圖案選擇性的生長金剛石形核層；
所述金剛石形核層生長形成圖案化的金剛石層；
去除所述臨時載片，并將形成的氮化鎵緩沖層-介質(zhì)層-金剛石層結(jié)構(gòu)倒置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，形成所述金剛石形核層的步驟包括：
在所述介質(zhì)層上依次形成掩膜層；
在所述掩膜層上光刻出需要刻蝕的圖案部分；
對圖案部分進行刻蝕，暴露出部分介質(zhì)層；
在暴露出的部分介質(zhì)層上生長金剛石形核層；
去除剩余的掩膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，所述氮化鎵緩沖層上粘合臨時載片的步驟包括：
在所述臨時載片的正面旋涂粘合劑；
將所述臨時載片正面朝上進行烘烤；
待所述臨時載片冷卻后，將所述氮化鎵緩沖層與所述臨時載片正面相對進行粘合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，將形成的氮化鎵緩沖層-介質(zhì)層-金剛石層結(jié)構(gòu)倒置之后，還包括：在所述氮化鎵緩沖層上依次生長勢壘層和溝道層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，在所述溝道層上設置源極、漏極和柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，將形成的氮化鎵緩沖層-介質(zhì)層-金剛石層結(jié)構(gòu)倒置之后，還包括：在暴露出的氮化鎵緩沖層上依次生長溝道層和勢壘層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金剛石基氮化鎵器件制造方法，其特征在于，在所述勢壘層上設置源極、漏極和柵極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
