[發明專利]一種半導體激光器用解巴條的二分裂方法

有效

• 申請號: 201810665064.1
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN108831850B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 賈旭濤;趙克寧;劉麗青;張廣明;肖成峰
• 申請（專利權）人: 濰坊華光光電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/78;H01S5/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體激光器用解巴條的二分裂方法，其特征在于，包括如下步驟：

a)將一個完整的晶圓片（2），以垂直于大解離邊（2）的方向將晶圓片（2）平均等分成兩個半圓片（3）；

b)將半圓片（3）放置到藍膜上，完成覆膜；

c)將覆膜后的半圓片（3）以取中心的方式劃制第一裂片線，第一裂片線平行于大解離邊（2），沿第一裂片線進行裂片操作將半圓片（3）分割成兩個等分的扇形片；

d)將扇形片以取中心的方式劃制第二裂片線，第二裂片線平行于第一裂片線，沿第二裂片線進行裂片操作將扇形片分割成兩個等分的晶圓塊；

e)判斷晶圓塊的寬度是否大于巴條（4）寬度的2-3倍，當晶圓塊的寬度小于巴條（4）寬度的2-3倍時停止裂片，當晶圓塊的寬度大于巴條（4）寬度的2-3倍時執行步驟f)；

f)將晶圓塊以取中心的方式劃制裂片線，該裂片線平行于第二裂片線，沿裂片線進行裂片操作將晶圓塊分割；

g)將步驟f)分割后的晶圓塊按步驟e)的方法操作。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器用解巴條的二分裂方法，其特征在于：步驟c)中裂片操作時，在半圓片（3）下端設置墊鐵（5），所述墊鐵（5）上端面為與水平面相平行的平面（6），平面（6）的外側端為斜面（7），所述斜面（7）與平面（6）的夾角處形成沿墊鐵（5）長度方向延伸的脊線（8），半圓片（3）的下端與平面（6）相接觸，第一裂片線與脊線（8）相重合。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器用解巴條的二分裂方法，其特征在于：步驟d)中裂片操作時，在扇形片下端設置墊鐵（5），所述墊鐵（5）上端面為與水平面相平行的平面（6），平面（6）的外側端為斜面（7），所述斜面（7）與平面（6）的夾角處形成沿墊鐵（5）長度方向延伸的脊線（8），扇形片的下端與平面（6）相接觸，第二裂片線與脊線（8）相重合。

4.根據權利要求1所述的半導體激光器用解巴條的二分裂方法，其特征在于：步驟f)中裂片操作時，在晶圓塊下端設置墊鐵（5），所述墊鐵（5）上端面為與水平面相平行的平面（6），平面（6）的外側端為斜面（7），所述斜面（7）與平面（6）的夾角處形成沿墊鐵（5）長度方向延伸的脊線（8），晶圓塊的下端與平面（6）相接觸，裂片線與脊線（8）相重合。

5.根據權利要求1所述的半導體激光器用解巴條的二分裂方法，其特征在于：步驟c)、步驟d)以及步驟f)中裂片操作時，使用滾輪（9）沿第一裂片線、第二裂片線以及裂片線的方向滾壓進行裂片，所述滾輪（9）上沿圓周方向設置有兩個環形的凸起（10），兩個環形凸起（10）之間的間距與巴條（4）的寬度相配。

6.根據權利要求1所述的半導體激光器用解巴條的二分裂方法，其特征在于：步驟c)、步驟d)以及步驟f)中裂片操作時，在顯微鏡下進行，所述顯微鏡鏡頭的十字線分布與第一裂片線、第二裂片線以及裂片線的方向相重合。