[發明專利]一種介質基片光刻對準標記、對準方法及光刻方法

有效

• 申請號: 201810663301.0
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN108828902B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 宋振國;王斌;路波;趙習智
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京捷誠信通專利事務所(普通合伙) 11221
• 代理人: 董喜

1.一種介質基片光刻對準標識，其特征在于，所述對準標識為使用激光機加工的“十”字對準標記，加工遍數為1次；“十”字對準標記的橫線和豎線的中心具有相對邊沿更亮的中心線；“十”字對準標記設置在介質基片邊緣；

將介質基片固定在激光機的工作臺上，設定對準標記的加工參數，包括功率、掃描次數、進給距離、進給次數、掃描速度，功率設定范圍為5～20W，掃描次數為1次，進給距離和進給次數用于加工通孔，加工對準標記時設定為0，掃描速度設定范圍為100～400mm/s，將介質基片待加工圖形定位對準后開始加工“十”字對準標記。

2.一種介質基片光刻對準方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(a)，使用激光機在介質基片邊緣加工至少2個“十”字對準標記，加工遍數為1次；

步驟(b)，光刻時，通過調整承片臺使介質基片上的“十”字對準標記中心線與掩模版上的對準標記中心線對準；

掩模版上的“十”字對準標記的末端是等腰三角形，等腰三角形的頂點在“十”字對準標記的中心線上，掩模版上等腰三角形的頂點定義了掩模版“十”字對準標記的中心線，介質基片上的“十”字對準標記也有中心線，光刻時將掩模版上等腰三角形的頂點與介質基片上的“十”字對準標記中心線對準。

3.一種薄膜電路的光刻方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(1)，使用激光機在介質基片上按照電路設計圖紙上金屬化接地孔的位置加工通孔，通孔的加工遍數大于1次，直到通孔貫穿介質基片正面和反面；

步驟(2)，使用激光機在介質基片邊緣加工“十”字對準標記，加工遍數為1次；

步驟(3)，清洗基片后真空濺射鍍膜；

步驟(4)，在鍍膜的表面涂覆光刻膠；

步驟(5)，光刻時通過調整承片臺使介質基片上的“十”字對準標記中心線與掩模版上的對準標記中心線對準；

掩模版上的“十”字對準標記的末端是等腰三角形，等腰三角形的頂點在“十”字對準標記的中心線上，掩模版上等腰三角形的頂點定義了“十”字對準標記的中心線，介質基片上用激光機加工一遍的“十”字對準標記也有中心線，光刻時將掩模版上等腰三角形的頂點與介質基片上的“十”字對準標記中心線對準；

“十”字對準標記中心線對準包括以下步驟：

步驟(1)，使用激光機在介質基片上按照電路設計圖紙上金屬化接地孔的位置加工通孔，使用的介質基片為純度大于99.6％的氧化鋁陶瓷，使用紫外激光機加工通孔；

步驟(2)，使用紫外激光機在氧化鋁陶瓷基片的左側和右側電路圖形外面加工3行“十”字對準標記；

步驟(3)，清洗基片后真空濺射鍍膜，清洗基片的過程使用丙酮或酒精在加熱和超聲條件下清洗，基片烘干后在其正面和反面分別濺射TiW層和Au層；

步驟(4)，使用噴膠的方法在基片的正面涂覆正性光刻膠；

步驟(5)，光刻時通過調整承片臺使介質基片上的“十”字對準標記中心線與掩模版上的對準標記中心線對準，掩模版的左右兩側有3行“十”字對準標記，中心位置與介質基片上的“十”字對準標記相同，掩模版上的“十”字對準標記的末端是等腰三角形，等腰三角形的頂點在“十”字對準標記的中心線上，光刻時將兩個中心線對準。