[發(fā)明專利]一種透明柔性可拉伸的電磁屏蔽薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810660647.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-06-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108882661B | 公開（公告）日： | 2020-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡友根;趙濤;張馨予;梁先文;朱朋莉;孫蓉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào)： | H05K9/00 | 分類號(hào)： | H05K9/00;B32B15/02;B32B15/04;B32B7/10 |
| 代理公司： | 北京市誠輝律師事務(wù)所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 透明 柔性 拉伸 電磁 屏蔽 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，其包括透明柔性可拉伸襯底層；孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層以及透明柔性可拉伸封裝層；
所述孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層在透明柔性可拉伸襯底層與透明柔性可拉伸封裝層之間；
所述孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層通過以下方法制備：
ⅰ)在透明柔性可拉伸襯底上緊密排列單層膠體顆粒；
ⅱ)將緊密排列單層膠體顆粒刻蝕為非緊密排列狀；
ⅲ)在非緊密排列單層膠體顆粒的透明柔性可拉伸襯底上沉積納米金屬層；
ⅳ)去除膠體顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層通過沉積方法將金、銀、銅、鎳、鋁、鐵、碳中的一種或多種磁屏蔽材料沉積在透明柔性可拉伸襯底層中而制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層通過以下方法制備：
ⅰ)在透明柔性可拉伸襯底上緊密排列單層膠體顆粒
通過自組裝方法在透明柔性可拉伸襯底層上沉積緊密排列的單層膠體顆粒；
ⅱ)將緊密排列單層膠體顆粒刻蝕為非緊密排列狀
通過刻蝕方法將緊密排列單層膠體顆粒刻蝕為非緊密排列狀；
ⅲ)在非緊密排列單層膠體顆粒的透明柔性可拉伸襯底上沉積納米金屬層
通過物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積方法將金、銀、銅、鎳、鋁、鐵、碳磁屏蔽材料濺射在將非緊密排列的單層膠體顆粒及透明柔性可拉伸襯底上；
ⅳ)去除膠體顆粒
采用溶劑溶解、刻蝕方法去除膠體顆粒，便得到沉積在透明柔性可拉伸襯底層上的網(wǎng)格狀金屬屏蔽層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述透明柔性可拉伸襯底層或透明柔性可拉伸封裝層為硅膠、熱塑性聚氨酯、聚烯烴彈性體透明彈性體中的一種或多種材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述的硅膠選自聚二甲基硅氧烷、聚二甲基二苯基硅氧烷、聚乙烯基三異丙氧基硅烷、聚甲基乙烯基硅氧烷、聚甲基氫硅氧烷中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述透明柔性可拉伸襯底層與透明柔性可拉伸封裝層采用的材料為相同材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述透明柔性可拉伸襯底層與透明柔性可拉伸封裝層采用的材料為相互融合，無明顯界面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述膠體顆粒選自10nm-100μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述膠體顆粒選自100nm-50μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，膠體顆粒選自聚苯乙烯微球、二氧化硅微球、聚甲基丙烯酸甲酯微球、聚丙烯酸微球、聚酚醛樹脂微球、聚脲醛樹脂微球、聚甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯微球。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，所述孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層為金、銀、銅、鎳、鋁、鐵、碳中的一種或多種磁屏蔽材料制成，呈孔洞網(wǎng)格狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層的網(wǎng)格線寬度最低值為10nm-100μm；網(wǎng)格狀金屬屏蔽層的網(wǎng)格線空隙最高值為100nm-100μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可拉伸柔性透明電磁屏蔽膜，孔洞網(wǎng)格狀金屬屏蔽層的網(wǎng)格線寬度最低值為100nm-10μm；網(wǎng)格狀金屬屏蔽層的網(wǎng)格線空隙最高值為500nm-50μm。
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