[發(fā)明專利]一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片EL不良的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810660030.3
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN108963031B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 章天瑜;張文鋒;胡玉婷;張文超;范啟澤;張雄偉
• 申請（專利權(quán)）人: 東方日升新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 杭州橙知果專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33261
• 代理人: 駱文軍

1.一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片 EL 不良的方法，它包括以下步驟：

1） 制絨：將原硅片通過去除損傷層、銀沉積、挖孔、初步脫銀、擴孔的處理后，以上步驟間都有水漂洗，通過一種化學(xué)混合液處理，所述混合液為氫氧化 鉀、氨水、雙氧水和水組成的堿性混合液，且混合液中的體積比為氫氧化鉀： 氨水：雙氧水：水=1~30:2~9:1~19:180~235，所述的氫氧化鉀的濃度為 40%~48%， 所述的氨水的濃度為 20%~27%，所述的雙氧水的濃度為 22%~30%，并將濕法黑硅制絨硅片減重控制在 0.35~0.45g；

2） 從正常產(chǎn)線流程的擴散工序開始進入到正常產(chǎn)線流程中處理即可，就是依次進行擴散、去PSG、刻蝕、PECVD 鍍膜、絲網(wǎng)印刷和測試；

在步驟1）中處理時，利用清洗機進行水漂洗，所述的清洗機的進料速度控制在205~250s/480片；混合液中氫氧化鉀的補充原則為每過480 片濕法黑硅擴孔后的硅片后補充110~300ml，氨水的補充原則為每過480 片濕法黑硅擴孔后的硅片后補充 90~200ml；雙氧水的補充原則為每過480 片濕法黑硅擴孔后的硅片后補充 150~300ml；溫度控制在室溫即可，浸泡時間為160s；

所述的步驟 2）中擴散處理時，方阻控制在 80~110Ω； 所述的步驟 2）中刻蝕處理時，減重控制在 0.1~0.2g。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片EL不良的方法，其特征在于：所述的混合液中的體積比為氫氧化鉀：氨水：雙氧水：水

=2~23:3~6:1~15:191~229。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片EL不良的方法，其特征在于：所述的混合液中的體積比為氫氧化鉀：氨水：雙氧水：水

=23:5:15:192。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片EL不良的方法，其特征在于：所述的氫氧化鉀的濃度為 42%~46%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片EL不良的方法，其特征在于：所述的氨水的濃度為 22%~26%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決金剛線濕法刻蝕黑硅電池片EL不良的方法，其特征在于：所述的雙氧水的濃度為 24%~29%。