[發(fā)明專利]一種含有高階溫度補(bǔ)償?shù)腖DO電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810659968.3
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN108803761B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李澤宏;趙念;洪志超;熊涵風(fēng);張成發(fā)
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種含有高階溫度補(bǔ)償?shù)腖DO電路，包括啟動(dòng)電路和功率輸出級(jí)，其特征在于，所述LDO電路還包括帶隙-誤差放大器和自適應(yīng)阻抗跟隨器，

所述帶隙-誤差放大器包括第一三極管(Q1)、第二三極管(Q2)、第三三極管(Q3)、第四三極管(Q4)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五第四PMOS管(MP5)、第六第四PMOS管(MP6)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第十七NMOS管(MS)、第十八NMOS管(MNB)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)和第五電阻(R5)，

第四三極管(Q4)的發(fā)射級(jí)作為所述帶隙-誤差放大器的輸入端連接反饋電壓并通過第四電阻(R4)后連接第一三極管(Q1)和第二三極管(Q2)的基極、第三三極管(Q3)的集電極以及所述啟動(dòng)電路的輸出端，其基極連接第二NMOS管(MN2)的漏極、第四PMOS管(MP4)的柵極、第三PMOS管(MP3)的柵極和漏極，其集電極連接第十七NMOS管(MS)的源極；

第一NMOS管(MN1)的柵極連接所述啟動(dòng)電路的輸入端、第二NMOS管(MN2)和第十七NMOS管(MS)的柵極并連接使能信號(hào)(EN)，其漏極連接第一PMOS管(MP1)的漏極，其源極連接第一三極管(Q1)的集電極；

第二三極管(Q2)的集電極連接第二NMOS管(MN2)的源極，其發(fā)射極通過第一電阻(R1)后連接第一三極管(Q1)的發(fā)射極和第二電阻(R2)的一端；

第二電阻(R2)的另一端連接第三三極管(Q3)的基極并通過第三電阻(R3)后接地(GND)；

第三三極管(Q3)的發(fā)射極通過第五電阻(R5)后接地(GND)；

第五PMOS管(MP5)的柵極連接第六PMOS管(MP6)的柵極并連接第一偏置電壓(V1)，其源極連接第四PMOS管(MP4)的漏極，其漏極連接第四NMOS管(MN4)的柵極、第三NMOS管(MN3)的柵極和漏極；

第二PMOS管(MP2)的柵極連接第一PMOS管(MP1)的柵極，其源極連接第十七NMOS管(MS)的漏極、第一PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的源極并連接電源電壓(VDD)，其漏極連接第六PMOS管(MP6)的源極；

第十八NMOS管(MNB)的柵極連接第二偏置電壓(V2)，其漏極連接第六PMOS管(MP6)的漏極并作為所述帶隙-誤差放大器的輸出端，其源極連接第四NMOS管(MN4)的漏極；

第三NMOS管(MN3)和第四NMOS管(MN4)的源極接地(GND)；

所述自適應(yīng)阻抗跟隨器包括第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第十二NMOS管(MN12)、第七PMOS管(MP7)、第六電阻(R6)、第七電阻(Rz)、第一電容(Cc)和第二電容(Cz)，

第十一NMOS管(MN11)的柵極連接第十二NMOS管(MN12)的柵極并連接所述帶隙-誤差放大器的輸出端，其漏極連接第十二NMOS管(MN12)的漏極并連接電源電壓(VDD)，其源極連接第一PMOS管(MP7)的柵極和第九NMOS管(MN9)的漏極；

第七PMOS管(MP7)的源極通過第六電阻(R6)后連接電源電壓(VDD)，其漏極連接第六NMOS管(MN6)的柵極、第五NMOS管(MN5)的柵極和漏極；

第十NMOS管(MN10)的柵極連接第九NMOS管(MN9)的柵極并連接第二偏置電壓(V2)，其源極連接第六NMOS管(MN6)和第八NMOS管(MN8)的漏極，其漏極連接第十二NMOS管(MN12)的源極并作為所述自適應(yīng)阻抗跟隨器的輸出端連接所述功率輸出級(jí)的輸入端；

所述功率輸出級(jí)的輸出端作為所述LDO電路的輸出端；

第七電阻(Rz)和第二電容(Cz)并聯(lián)，其并聯(lián)結(jié)構(gòu)一端連接所述帶隙-誤差放大器中第十八NMOS管(MNB)的源極，另一端連接第一電容(Cc)的一端，第一電容(Cc)的另一端連接所述LDO電路的輸出端；

第七NMOS管(MN7)的柵極連接第八NMOS管(MN8)的柵極并連接第三偏置電壓(V3)，其漏極連接第九NMOS管(MN9)的源極和所述LDO電路的輸出端，其源極連接第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)和第八NMOS管(MN8)的源極并接地(GND)。