[發明專利]多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法在審
| 申請號： | 201810659964.5 | 申請日： | 2018-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN108878585A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 徐云;白霖;陳華民;宋國峰;陳良惠 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/101 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯寶平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可見光 電極 多波段 帽層 制備 紅外焦平面探測器 生長 探測器芯片 讀出電路 犧牲層 襯底 刻蝕 焦平面探測器 光吸收層 平面模塊 圖形金屬 集成度 焦平面 接觸層 介質膜 透光膜 圖形化 倒扣 對焦 多層 分光 去除 銦柱 成像 背面 | ||
1.一種多波段可見光至近紅外的焦平面探測器的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在一InP襯底1上依次生長犧牲層2、N接觸層3、光吸收層4和帽層5；
步驟2：從帽層5的一側向下刻蝕，刻蝕深度達到N接觸層3，便于電極引出；
步驟3：在接觸層3和帽層5上生長圖形金屬電極，并在電極上生長銦柱6，得到探測器芯片；
步驟4：取一個讀出電路7，將探測器芯片與讀出電路7倒扣，得到一個焦平面模塊；
步驟5：對焦平面模塊的背面，去除襯底1和犧牲層2；
步驟6：在N接觸層3上生長SiO2介質膜8，圖形化制備多層分光透光膜9，形成多波段可見光至近紅外焦平面探測器。
2.如權利要求1所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中所述的襯底1的材料為InP、GaAs或Si。
3.如權利要求1所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中所述的犧牲層2的材料為InGaAs或InGaAsP。
4.如權利要求1所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中，所述的N接觸層3的材料為InP或InGaAs或InGaAsP，厚度為50-500nm。
5.如權利要求1所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中，所述的光吸收層4的材料為InGaAs，厚度為50-300nm。
6.如權利要求1所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中所述的帽層5的材料為InGaAs、InGaAsP或InP，厚度為50-200nm。
7.如權利要求1所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中所述的分光透光膜9是介質膜或金屬光柵。
8.如權利要求7所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中所述的介質膜的材料為氧化硅或氮化硅。
9.如權利要求7所述的多波段可見光至近紅外焦平面探測器的制備方法，其中上金屬光柵的材料為Au薄膜或Ag薄膜，金屬光柵的厚度和開孔周期形狀等由仿真模擬的結果確定。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
