[發(fā)明專利]用于提供均勻氣流的設(shè)備與方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810659433.6 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN108796472B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·約德伏斯基;M·常;F·京格爾;P·F·馬;D·儲(chǔ);C-T·考;H·萊姆;D-Y·吳 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/205 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 金紅蓮;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 提供 均勻 氣流 設(shè)備 方法 | ||
1.一種氣體分配裝置,包括:
板,具有前側(cè)表面和背側(cè)表面;
形成于所述背側(cè)表面中的凹陷區(qū)域,其中,所述凹陷區(qū)域具有凹陷表面,該凹陷表面置于與所述背側(cè)表面具有距離之處,且所述凹陷表面與所述前側(cè)表面相對;
形成于所述板的所述凹陷表面上的第一螺旋形氣體輸送通道,其中,所述第一螺旋形氣體輸送通道具有長度;
形成于所述板的所述凹陷表面上的第二螺旋形氣體輸送通道,其中
所述第二螺旋形氣體輸送通道具有長度,且
所述第二螺旋形氣體輸送通道和所述第一螺旋形氣體輸送通道沿著所述第二螺旋形氣體輸送通道的所述長度彼此相鄰定位,
沿著所述第一螺旋形氣體輸送通道的所述長度間隔開的第一多個(gè)孔,其中,所述第一多個(gè)孔的每一個(gè)從所述前側(cè)表面向所述第一螺旋形氣體輸送通道的表面延伸;以及
沿著所述第二螺旋形氣體輸送通道的所述長度間隔開的第二多個(gè)孔,其中,所述第二多個(gè)孔的每一個(gè)從所述前側(cè)表面向所述第二螺旋形氣體輸送通道的表面延伸,其中所述第一螺旋形氣體輸送通道和所述第二螺旋形氣體輸送通道在所述背側(cè)表面向內(nèi)延伸,并且所述第一螺旋形氣體輸送通道和所述第二螺旋形氣體輸送通道的內(nèi)部區(qū)域在所述背側(cè)表面處暴露,
其中所述凹陷區(qū)域配置為接收背蓋,其中所述背蓋的表面配置為在所述背蓋定位于所述凹陷區(qū)域中時(shí)基本上覆蓋所述第一螺旋形氣體輸送通道和所述第二螺旋形氣體輸送通道。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置,其中,所述第一螺旋形氣體輸送通道和所述第二螺旋形氣體輸送通道各自還包括上方部分,該上方部分置于下方部分和所述凹陷表面之間,其中,所述下方部分的所述表面具有成圓的形狀。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置,其中,所述下方部分的所述表面的所述成圓的形狀是半圓形或半橢圓形。
4.如權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔從所述第一螺旋形氣體輸送通道的所述下方部分的所述表面向所述前側(cè)表面延伸。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體分配裝置,其中,所述第二多個(gè)孔從所述第二螺旋形氣體輸送通道的所述下方部分的所述表面向所述前側(cè)表面延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔和所述第二多個(gè)孔各自包括具有第一直徑的第一截面、第二截面以及具有第二直徑的第三截面,其中,所述第二截面具有從所述第一直徑向所述第二直徑變小的形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔和所述第二多個(gè)孔各自包括具有第一直徑的第一截面、第二截面以及具有第二直徑的第三截面,其中,所述第二直徑在0.03英寸(0.762mm)與0.15英寸(3.81mm)之間。
8.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔和所述第二多個(gè)孔各自在所述前側(cè)表面處具有0.03英寸(0.762mm)與0.15英寸(3.81mm)之間的直徑。
9.如權(quán)利要求8所述的氣體分配裝置,其中,所述第一螺旋形氣體輸送通道和所述第二螺旋形氣體輸送通道各自具有0.3英寸(7.62mm)與0.425英寸(10.8mm)之間的寬度。
10.如權(quán)利要求8所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔包括300與900個(gè)之間的孔,且所述第二多個(gè)孔包括300與900個(gè)之間的孔。
11.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔和所述第二多個(gè)孔各自在所述前側(cè)表面處具有小于0.08英寸(2.03mm)的直徑。
12.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置,其中,所述第一多個(gè)孔和所述第二多個(gè)孔各自在所述第一螺旋形氣體輸送通道或所述第二螺旋形氣體輸送通道的所述下方部分的所述表面處具有小于0.02英寸(0.508mm)的直徑。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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