[發明專利]太陽能電池在審
| 申請號: | 201810659378.0 | 申請日: | 2018-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN109904252A | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 樸相熙;文成日;河京珍 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 沈敬亭;曲在丹 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 硅基 電極 凸起 太陽能電池電極 組合物形成 水接觸角 底被 | ||
本發明提供一種太陽能電池。所述太陽能電池包括:硅基底;和在所述硅基底上形成的電極,其中所述硅基底被形成有每5μm長度至少5個凸起部分,該凸起部分具有50nm或更高的截面高度(h),且所述電極是由具有15°至60°的水接觸角的用于太陽能電池電極的組合物形成的。
相關申請的引證
本申請要求2017年12月8日提交的韓國專利申請10-2017-0168656的權益,其全部內容通過引用并入本文中。
技術領域
本申請涉及太陽能電池。
背景技術
太陽能電池使用將太陽光的光子轉化成電力的PN結的光伏效應產生電力。在太陽能電池中,在具有PN結的半導體晶片或基底的上和下表面上分別形成前和后電極。然后,由進入所述半導體晶片的太陽光誘發在所述PN結處的光伏效應,并且由在所述PN結處的光伏效應產生的電子通過所述電極提供到外側的電流。通過施加、圖案化和烘烤用于太陽能電池電極的組合物而在所述晶片上形成所述太陽能電池的電極。
為了降低入射到太陽能電池的光的反射率以改進所述太陽能電池的效率,已經提出了一種方法,在該方法中,用抗反射膜構造和/或形成基底的表面。然而,這種方法不能提供充分的抗反射性能。
另外,所述方法具有的問題還在于電極可能對具有被構造的表面的基底具有差的粘附性。
因此,對于如下太陽能電池存在需求,所述太陽能電池可降低入射到其上的光的反射率并改進電極對基底的粘附性,從而表現出良好的電性能,例如接觸電阻、串聯電阻、短路電流和轉換效率。
本發明的背景技術公開在日本待審專利申請2012-084585中。
發明內容
本發明的一個方面是提供一種太陽能電池,該太陽能電池能夠降低反射率,從而表現出改進的轉換效率。
本發明的另一個方面是提供一種太陽能電池,該太陽能電池能夠改進電極對基底的粘附性,從而表現出良好的電性能,例如接觸電阻、串聯電阻和短路電流。
本發明的這些和其它目的可通過如下所述的本發明的實施方式實現。
本發明的一個方面涉及太陽能電池。
所述太陽能電池包括:硅基底;和在所述硅基底上形成的電極,其中所述硅基底被形成有每5μm長度至少5個凸起部分,該凸起部分具有50nm或更高的截面高度(h),和所述電極是由具有15°至60°的水接觸角的用于太陽能電池電極的組合物形成的。
所述用于太陽能電池電極的組合物可包括:60重量%至95重量%的導電粉末;0.1重量%至20重量%的玻璃料;0.1重量%至15重量%的有機粘結劑;0.1重量%至5重量%的表面張力改性劑;和0.1重量%至20重量%的溶劑。
所述玻璃料可包括至少一種元素金屬碲(Te)、鋰(Li)、鋅(Zn)、鉍(Bi)、鉛(Pb)、鈉(Na)、磷(P)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、鈰(Ce)、鐵(Fe)、硅(Si)、鎢(W)、鎂(Mg)、鉬(Mo)、銫(Cs)、鍶(Sr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、釩(V)、鋇(Ba)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉀(K)、砷(As)、鈷(Co)、鋯(Zr)、錳(Mn)、鋁(Al)和硼(B)。
所述表面張力改性劑可包括硅酮類添加劑(基于硅酮的添加劑,silicone-basedadditive)、酰胺類添加劑(基于酰胺的添加劑,amide-based additive)和脂肪酸類表面活性劑(基于脂肪酸的表面活性劑,fatty acid-based surfactant)中的至少一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星SDI株式會社,未經三星SDI株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810659378.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





