[發(fā)明專利]一種二維磁場(chǎng)傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810654001.6
• 申請(qǐng)日: 2018-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN108717169B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢正洪;白茹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 錢正洪;白茹
• 主分類號(hào): G01R33/04
• 分類號(hào): G01R33/04
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱月芬

1.一種二維磁場(chǎng)傳感器，包括磁通引導(dǎo)器；其特征在于：所述磁通引導(dǎo)器外部框架為水平方向或垂直方向沿對(duì)角線對(duì)稱的半環(huán)形結(jié)構(gòu)，對(duì)稱軸將磁通引導(dǎo)器分為兩個(gè)區(qū)域；每個(gè)區(qū)域均開有磁敏電阻放置間隙；每個(gè)區(qū)域設(shè)置有一對(duì)磁敏電阻，磁敏電阻均設(shè)置在襯底上，一個(gè)磁敏電阻被磁通引導(dǎo)器覆蓋，另一磁敏電阻設(shè)置在磁敏電阻放置間隙內(nèi)；同一區(qū)域的一對(duì)磁敏電阻連成惠斯通電橋半橋結(jié)構(gòu)；同一區(qū)域內(nèi)，所述的磁敏電阻的傾斜角度與磁敏電阻放置間隙的傾斜角度相同，磁敏電阻的兩邊與間隙的切邊平行；磁通引導(dǎo)器為單芯集成。

2.如權(quán)利要求1所述的二維磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的磁敏電阻放置間隙的兩邊與切邊呈大于0o小于90o的傾斜角。

3.如權(quán)利要求1所述的二維磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的磁通引導(dǎo)器誘導(dǎo)平面磁場(chǎng)通過(guò)磁通引導(dǎo)器的兩個(gè)間隙，間隙中的磁敏電阻感受到通過(guò)間隙的磁場(chǎng)分量，磁敏電阻隨外場(chǎng)發(fā)生改變，而被磁通引導(dǎo)器覆蓋的磁敏電阻由于被軟磁屏蔽，故磁敏電阻不隨外場(chǎng)改變，磁通引導(dǎo)器的間隙中的磁敏電阻以及被磁通引導(dǎo)器覆蓋的磁敏電阻組成兩對(duì)惠斯通電橋形成差分輸出，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)二維磁場(chǎng)的測(cè)量。

4.如權(quán)利要求1所述的二維磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的磁敏電阻由同種材料組成，為各向異性磁電阻、巨磁電阻、磁隧道結(jié)電阻。

5.如權(quán)利要求1所述的二維磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的磁通引導(dǎo)器選用軟磁材料。