[發明專利]高壓元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810653244.8
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN110634949B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 黃宗義;陳建馀
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種高壓元件，包含：

一半導體層，形成于一基板上，該半導體層于一垂直方向上，具有相對的一上表面與一下表面；

一絕緣結構，形成于該上表面上并連接于該上表面，用以定義一操作區；

一漂移氧化區，形成于該上表面上并連接于該上表面，且位于該操作區中的一漂移區上并連接于該漂移區；

一阱區，具有一第一導電型，形成于該半導體層的該操作區中，且于該垂直方向上，該阱區位于上表面下并連接于該上表面；

一本體區，具有一第二導電型，形成于該操作區的該阱區中，且于該垂直方向上，該本體區位于該上表面下并連接于該上表面，該本體區具有一第一雜質濃度；

一本體極，具有該第二導電型，用以作為該本體區的一電氣接點，于該垂直方向上，該本體極形成于該上表面下并連接于該上表面的該本體區中，該本體極包括一主本體極以及至少一子本體極；

一緩沖區，具有該第二導電型，形成于該操作區的該阱區中，且于該垂直方向上，該緩沖區位于該上表面下并連接于該上表面，該緩沖區于該半導體層中的該上表面下，包覆所有該本體區的外圍，且該緩沖區的一第二雜質濃度低于該第一雜質濃度；

一柵極，形成于該半導體層的該上表面上的該操作區中，由俯視圖視之，該柵極大致為沿著一寬度方向上而延伸的長方形，且于該垂直方向上，部分該本體區與該緩沖區位于該柵極正下方并連接于該柵極，以提供該高壓元件在一導通操作中的一反轉電流通道；以及

一源極與一漏極，具有該第一導電型，于該垂直方向上，該源極與該漏極形成于該上表面下并連接于該上表面的該操作區中，且該源極與該漏極分別位于該柵極的外部下方的該本體區中與遠離該本體區側的該阱區中，且于一通道方向上，該漂移區位于該漏極與該緩沖區之間，連接該上表面的該阱區中，用以作為該高壓元件在該導通操作中的一漂移電流通道，且于該垂直方向上，該源極與該漏極位于該上表面下并連接于該上表面；

其中，由俯視圖視之，該主本體極與該源極相鄰接，并分別大致上為沿著該寬度方向上而延伸的長方形，且該源極介于該主本體極與該柵極之間，該子本體極自部分該主本體極在該通道方向上，向該柵極延伸，接觸到該反轉電流通道；

其中，該源極、該本體區及該緩沖區、以及該阱區組成一寄生晶體管，且該子本體極提供一熱載子吸收通道，以抑制該寄生晶體管導通。

2.權利要求1所述的高壓元件，其中該漂移氧化區包括一區域氧化結構、一淺溝槽絕緣結構或一化學氣相沉積氧化區。

3.權利要求1所述的高壓元件，其中該本體極包括多個該子本體極，且該多個子本體極不彼此連接。

4.權利要求1所述的高壓元件，其中該緩沖區于該高壓元件的一瞬時操作中，降低該本體區與該阱區間的電容。