[發明專利]CIGS薄膜的制備方法及CIGS薄膜太陽能組件在審
| 申請號： | 201810652703.0 | 申請日： | 2018-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN108831825A | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發明（設計）人： | 趙樹利;楊立紅;陳濤 | 申請（專利權）人： | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/203 | 分類號： | H01L21/203;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京智晨知識產權代理有限公司 11584 | 代理人： | 張婧 |
| 地址： | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鉬金屬薄膜 制備 太陽能組件 接觸方式 凹陷 附著力 太陽能電池技術 表面結構 表面形成 表面形貌 表面制備 基底表面 加工工序 平面方式 凸起結構 異型組件 傳統的 嵌入式 凸起 引入 制作 | ||
1.一種CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
S1、在基底表面制備具有凹陷和/或凸起的表面結構的鉬金屬薄膜；
S2、在所述鉬金屬薄膜的表面制備CIGS薄膜。
2.根據權利要求1所述的CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
S11、在基底表面制備平面鉬金屬薄膜；
S12、對所述平面鉬金屬薄膜進行刻劃或刻蝕，形成所述具有凹陷和/或凸起的表面結構的鉬金屬薄膜。
3.根據權利要求2所述的CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，所述刻劃包括激光刻劃或機械刻劃；所述刻蝕包括等離子體刻蝕或溶液刻蝕。
4.根據權利要求1所述的CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
在制備鉬金屬薄膜的過程中設置掩模，形成所述具有凹陷和/或凸起的表面結構的鉬金屬薄膜。
5.根據權利要求1所述的CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，所述鉬金屬薄膜的厚度為300～500nm；所述凹陷的表面結構為寬度0.5～3μm、深度30～100nm、間距1～10mm的若干凹槽。
6.根據權利要求1所述的CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，所述鉬金屬薄膜采用真空磁控濺射法制備；所述CIGS薄膜采用共蒸發沉積法制備。
7.根據權利要求1所述的CIGS薄膜的制備方法，其特征在于，所述基底選自玻璃、不銹鋼薄膜或聚酰亞胺薄膜。
8.一種CIGS薄膜太陽能組件，依次包含基底、鉬金屬薄膜和CIGS薄膜，其特征在于，所述鉬金屬薄膜具有凹陷和/或凸起的表面結構。
9.根據權利要求8所述的CIGS薄膜太陽能組件，其特征在于，所述鉬金屬薄膜的厚度為300～500nm；所述凹陷的表面結構為寬度0.5～3μm、深度30～100nm、間距1～10mm的若干凹槽。
10.根據權利要求8所述的CIGS薄膜太陽能組件，其特征在于，所述基底選自玻璃、不銹鋼薄膜或聚酰亞胺薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
