[發明專利]一種具有雙反饋的LDO電路

有效

• 申請號: 201810651176.1
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN108874008B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 段志奎;王志敏;單明;李秋實;趙曉萌;牛菓;王修才;陳建文;李學夔
• 申請（專利權）人: 佛山科學技術學院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 王國標

本發明公開了一種具有雙反饋的LDO電路，包括負反饋電路、正反饋電路和負載電路，主要采用NMOS晶體管、PMOS晶體管、電容和電阻，具有靜態電流低、瞬態響應能力強等特點。而隨芯片供電電壓不斷降低，傳統的LDO電路可能會出現電路本身消耗的靜態電流大于芯片本身消耗電流的情況。本發明的LDO電路和典型的LDO電路不同的是沒有基準電路，通過正負反饋來輸出更加穩定的電壓，提高對負載電路電壓變化的響應速度，同時可以有效降低LDO電路的功耗，符合當今電子設備低電源電壓和低功耗的發展趨勢。可用于集成電路技術領域中。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，特別涉及一種具有雙反饋的LDO電路。

背景技術

低壓差線性被廣泛地應用于現代電子設備，用來提供不受供電電壓變化和負載變化的穩定電壓。典型LDO結構如圖1所示，包含參考電壓V_ref、誤差放大器EA、功率管和反饋電阻R1，其中參考電壓V_ref通常由帶隙基準電路提供，LDO的輸出通常要高于1.24V。而隨著CMOS工藝尺寸的不斷縮減，芯片供電電壓不斷降低，基于典型結構的LDO難以應用于低功耗低壓供電領域。現有的LDO電路難以應對輸出電壓的快速變化，負載瞬態響應速度不高，整體電路的功耗較高。

發明內容

本發明提供一種具有雙反饋的LDO電路，有效降低LDO電路功耗，提高負載瞬態響應速度。

本發明解決其技術問題的解決方案是：一種具有雙反饋的LDO電路，包括：負反饋電路、正反饋電路和負載電路；

所述負反饋電路包括：NMOS晶體管M1、M11、M12和電流鏡模塊，M1、M12的源極分別與地連接，M11的源極、M12的漏極分別與M1的柵極連接，M11的漏、柵極，M12的柵極分別與LDO電路的輸出電壓端V_out相連接，電流鏡模塊的電流輸入端與電源VDD相連接，電流鏡模塊的第一電流輸出端與M1的漏極連接；

所述正反饋電路包括：PMOS晶體管M9、MP，NMOS晶體管M6、M7、M8和電容C1，M6、M7的源極分別與地相連接，M6的柵極，M8的源極分別與M7的漏、柵極相連接，所述M7的漏、柵極相互連接，M8的漏極與M9的漏、柵極相連接，M8的柵極，MP的漏極分別與所述LDO電路的輸出電壓端V_out相連接，MP的源極，M9的源極分別與電源VDD相連接，電容C1的一端分別與M6的柵極，M7的柵、漏極相連接，電容C1的另一端與地相連接；

電流鏡模塊的第二電流輸出端分別與M6的漏極、MP的柵極相連接；

所述負載電路包括：電容C_L和電阻R_L，所述電容C_L和電阻R_L并接，所述電容C_L的一端與所述LDO電路的輸出電壓端V_out，所述電容C_L的另一端對地連接。

進一步，所述電流鏡模塊由PMOS晶體管M2、M3、M4、M5構成，M5的柵極，M2的漏、柵極分別與M1的漏極相連接，M4的柵極，M3的漏、柵極分別與M2的源極相連接，M4的漏極與M5的源極相連接，M3、M4的源極分別與電源VDD相連接。

進一步，所述PMOS晶體管M2、M3、M4、M5的尺寸均相等。

進一步，所述PMOS晶體管MP為功率管。

本發明的有益效果是：本發明通過增加正負反饋電路，將基準電路從LDO電路中移除，對輸出電壓的變化快速反應，從而輸出穩定的供電電壓，有效降低LDO電路的功耗，具有靜態電流低，瞬態響應能力強等特點。

附圖說明