[發明專利]LDMOS器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201810651175.7
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN110634948B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 楊震;馬燕春;郭兵;王孝遠;王剛寧
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括漂移區；

場氧化層，位于所述漂移區的襯底上；

柵極結構，包括覆蓋部分所述場氧化層和襯底的柵電極，以及與所述柵電極相鄰的場極板，柵電極的延伸方向為第一方向，在襯底投影面上與所述第一方向垂直的為第二方向，所述場極板在所述第一方向和第二方向均包括多個偽柵結構，所述偽柵結構位于所述場氧化層上；第一方向為列向，第二方向為行方向，相鄰列的偽柵結構錯位排布；

漏區，位于所述場極板一側的漂移區中；

源區，位于所述柵電極一側的襯底中。

2.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一方向的多個偽柵結構等間隔排列；第二方向的多個偽柵結構之間等間隔排列。

3.根據權利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，在襯底投影面上，所述偽柵結構的形狀為矩形。

4.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在襯底投影面上，所述偽柵結構的形狀為等腰三角形，相鄰列偽柵結構構成偽柵組，包括第一列偽柵和第二列偽柵，第一列偽柵的等腰三角形與第二列偽柵的等腰三角形頂角相對且相互嵌入。

5.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述柵電極與所述偽柵結構材料相同。

6.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述柵電極與所述偽柵結構的材料為多晶硅。

7.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述偽柵結構通過插塞連接于地端。

8.一種LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成漂移區；

在所述漂移區襯底上形成場氧化層；

在所述襯底上形成柵極結構，所述柵極結構包括部分覆蓋所述場氧化層和襯底上的柵電極，以及與所述柵極結構相鄰的場極板，所述柵電極的延伸方向為第一方向，在襯底投影面上與所述第一方向垂直的為第二方向，所述場極板在所述第一方向和第二方向均包括多個偽柵結構，所述偽柵結構位于所述場氧化層上；所述第一方向為列向，所述第二方向為行方向，相鄰列的偽柵結構錯位排布；

在所述場極板一側的漂移區中形成漏區；

在所述柵電極一側的襯底中形成源區。

9.根據權利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成所述柵電極的過程中形成所述場極板。

10.根據權利要求9所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述柵極結構包括：

形成覆蓋所述襯底和所述場氧化層的柵極材料層；

在所述柵極材料層上形成掩膜層；

圖形化所述掩膜層形成圖形層；

以所述圖形層為掩膜，刻蝕所述柵極材料層，形成柵電極以及多個偽柵結構，所述多個偽柵結構用于構成所述場極板。

11.根據權利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一方向的多個偽柵結構等間隔排列；所述第二方向的多個偽柵結構之間等間隔排列。

12.根據權利要求11所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在襯底投影面上，所述偽柵結構的形狀為矩形。

13.根據權利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在襯底投影面上，所述偽柵結構的形狀為等腰三角形，相鄰列偽柵結構構成偽柵組，包括第一列偽柵和第二列偽柵，第一列偽柵的等腰三角形與第二列偽柵的等腰三角形頂角相對且相互嵌入。

14.根據權利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述柵電極與所述偽柵結構材料相同。