[發明專利]N型晶體硅太陽能電池及制備方法、光伏組件在審
| 申請號： | 201810649226.2 | 申請日： | 2018-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN109065639A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發明（設計）人： | 陳孝業;薛文娟;尹海鵬 | 申請（專利權）人： | 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 225131 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 光伏組件 發射極 氧化鎵 正面鈍化層 制備 太陽能電池技術 光電轉換效率 背面鈍化層 少數載流子 背面電極 光伏發電 化學鈍化 入射光線 輸出功率 依次設置 正面電極 場鈍化 電成本 負電荷 降低度 電池 復合 吸收 | ||
1.一種N型晶體硅太陽能電池，包括依次設置的正面電極(6)、正面鈍化層(2)、發射極(3)、N型晶體硅基體(1)、背面鈍化層(5)以及背面電極(7)，其特征在于，所述正面鈍化層(2)包括與所述發射極(3)直接接觸的氧化鎵層(21)。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述氧化鎵層(21)的厚度為1納米～120納米。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述氧化鎵層(21)的厚度為10納米～60納米。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述正面鈍化層(2)還包括設置在所述氧化鎵層(21)上的覆蓋層(22)，所述覆蓋層(22)包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層及碳化硅層中的至少一種，所述覆蓋層(22)的厚度為10納米～120納米。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括：設置在所述N型晶體硅基體(1)的背面的N型摻雜層(41)；
所述背面鈍化層(5)設置在所述N型摻雜層(41)上，所述背面電極(7)穿過所述背面鈍化層(5)與所述N型摻雜層(41)形成歐姆接觸；
所述背面鈍化層(5)包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層及碳化硅層中的至少一種，所述背面鈍化層(5)的厚度為30納米～200納米。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括：設置在所述N型晶體硅基體(1)的背面的隧穿氧化層(42)以及設置在所述隧穿氧化層(42)上的摻雜硅層(43)；所述摻雜硅層(43)的摻雜源為第V族元素；
所述背面鈍化層(45)設置在所述摻雜硅層(43)上，所述背面電極(7)穿過所述背面鈍化層(5)與所述摻雜硅層(43)形成歐姆接觸；
所述背面鈍化層(5)包括氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層及碳化硅層中的至少一種；
所述隧穿氧化層(42)的厚度為0.5納米～6納米，所述摻雜硅層(43)的厚度為10納米～1000納米，所述背面鈍化層(5)的厚度為60納米～120納米。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述摻雜硅層(43)為摻雜非晶硅層或摻雜多晶硅層。
8.一種N型晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
提供N型晶體硅基體(1)；
在所述N型晶體硅基體(1)的正面形成發射極(3)；
在所述發射極(3)上形成與所述發射極(3)直接接觸的氧化鎵層(21)。
9.根據權利要求所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎵層(21)通過單原子層沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、常壓化學氣相沉積法或者低壓化學氣相沉積法形成。
10.一種光伏組件，包括依次設置的蓋板、第一封裝膠膜，電池串、第二封裝膠膜和背板，所述電池串包括多個太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池為權利要求1～7任一項所述的N型晶體硅太陽能電池。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
