[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201810648675.5
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN109390023B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 盧映圭
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

一種半導體器件包括：熔絲選擇電路，其適用于基于時鐘信號來產生熔絲組地址信號；熔絲陣列，其包括多個熔絲組，并且適用于基于熔絲組地址信號來從熔絲組順序地輸出熔絲組數據；讀取電路，其適用于基于時鐘信號和熔絲組數據來順序地產生讀取組數據；以及計算電路，其適用于基于時鐘信號和熔絲信息信號來計算熔絲組之中已使用的熔絲組的數量或未使用的熔絲組的數量，該熔絲信息信號包括讀取組數據中所包括的多個熔絲讀取信號之中的至少一個熔絲讀取信號。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年8月9日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2017-0101159的韓國專利申請的優先權，其公開的全部內容通過引用合并于此。

技術領域

示例性實施例涉及一種半導體設計技術，并且更具體地，涉及一種半導體器件。

背景技術

總體而言，半導體器件被設計并制造為包括各種用于測試電特性和電操作的測試模式功能。例如，存儲器件通過第一測試模式來檢測所包括的多個存儲單元是否存在缺陷。當檢測到存在缺陷的存儲單元時，存儲器件使用冗余存儲單元來替換存在缺陷的存儲單元。即，當存在缺陷的存儲單元被冗余存儲單元替換時，修復存在缺陷的存儲單元成為可能。存儲器件使用熔絲等來修復存在缺陷的存儲單元。

發明內容

在一個實施例中，一種半導體器件可以包括：熔絲選擇電路，其適用于基于時鐘信號來產生熔絲組地址信號；熔絲陣列，其包括多個熔絲組，并且適用于基于熔絲組地址信號來從熔絲組順序地輸出熔絲組數據；讀取電路，其適用于基于時鐘信號和熔絲組數據來順序地產生讀取組數據；以及計算電路，其適用于基于時鐘信號和熔絲信息信號來計算熔絲組之中已使用的熔絲組的數量或未使用的熔絲組的數量，該熔絲信息信號包括讀取組數據中所包括的多個熔絲讀取信號之中的至少一個熔絲讀取信號。

在一個實施例中，一種半導體器件可以包括：熔絲選擇電路，其適用于基于時鐘信號來產生熔絲組地址信號；熔絲陣列，其包括多個熔絲區域，其中每個熔絲區域包括多個熔絲組，并且該熔絲陣列適用于基于熔絲組地址信號來在多個讀取時段期間順序地選擇在熔絲區域之中的單個熔絲區域，且在每個讀取時段內從熔絲組順序地輸出熔絲組數據；讀取電路，其適用于基于時鐘信號和熔絲組數據來順序地產生讀取組數據；控制電路，其適用于基于多個熔絲區域選擇信號和讀取時段識別信號來產生計算控制信號，該計算控制信號在包括讀取時段之中的至少一個讀取時段的預定計算時段期間被激活；以及計算電路，其適用于在計算時段期間計算熔絲區域之中的至少一個熔絲區域中所包括的熔絲組之中已使用的熔絲組的數量或未使用的熔絲組的數量，并且適用于基于計算控制信號、時鐘信號和熔絲信息信號來計算已使用的熔絲組的數量或未使用的熔絲組的數量，該熔絲信息信號包括讀取組數據中所包括的多個熔絲讀取信號之中的至少一個熔絲讀取信號。

在一個實施例中，一種用于操作半導體器件的方法可以包括：進入啟動模式；每當時鐘信號切換(toggle)時都從熔絲陣列中所包括的多個熔絲組中順序地讀取熔絲組數據，并且順序地產生與熔絲組數據相對應的讀取組數據；以及基于時鐘信號和熔絲信息信號來計算熔絲組之中已使用的熔絲組的數量或未使用的熔絲組的數量，該熔絲信息信號包括讀取組數據中所包括的多個熔絲讀取信號之中的至少一個熔絲讀取信號。

在一個實施例中，一種用于操作半導體器件的方法可以包括：進入啟動模式；基于時鐘信號來在多個讀取時段期間順序地選擇熔絲陣列中包括的多個熔絲區域，每當時鐘信號切換時都從熔絲區域的每個熔絲區域中所包括的多個熔絲組中順序地讀取熔絲組數據，以及順序地產生與熔絲組數據相對應的讀取組數據；以及基于時鐘信號、讀取時段識別信號和熔絲信息信號來在預定計算時段期間計算熔絲區域之中的至少一個熔絲區域中所包括的熔絲組之中已使用的熔絲組的數量或未使用的熔絲組的數量，該預定計算時段包括讀取時段之中的至少一個讀取時段，該熔絲信息信號包括讀取組數據中所包括的多個熔絲讀取信號之中的至少一個熔絲讀取信號。

附圖說明

圖1是示出根據本公開的一個實施例的半導體器件的框圖。