[發明專利]一種波長可調諧的半導體激光器有效
| 申請號： | 201810645722.0 | 申請日： | 2018-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN108683078B | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發明（設計）人： | 林中晞;林琦;徐玉蘭;陳景源;鐘杏麗;朱振國;薛正群;蘇輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | H01S5/06 | 分類號： | H01S5/06;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 張祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波長 調諧 半導體激光器 | ||
1.一種波長可調諧的半導體激光器，其特征在于，包括：有源層、波導層和分離限制層；
其中，波導層位于有源層和分離限制層之間；
波導層包括脊波導和微腔，微腔位于脊波導的一側；
所述脊波導包括增益區、電隔離區和飽和吸收區；增益區、電隔離區和飽和吸收區位于同一脊條上且共線排列，電隔離區對增益區和飽和吸收區進行電隔離；微腔設置在增益區沿長度方向的任意位置；
在半導體激光器工作時，增益區上加正向電流形成增益，飽和吸收區上加調制電流信號。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述微腔為環形微腔或圓盤形微腔。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光器，其特征在于，在所述微腔上加正向電流形成增益，形成的環腔駐波電場分布，通過消逝波耦合的方式與所述脊波導內形成的直腔駐波電場相互作用，通過調節注入到微腔上的電流實現對半導體激光器波長的小范圍調節。
5.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，增益區的長度大于電隔離區和飽和吸收區的總長度，電隔離區的長度大于等于飽和吸收區的長度。
6.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，電隔離區采用干濕法腐蝕或者離子注入方法形成。
7.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，增益區和飽和吸收區的上方設置有平面電極，增益區的電極和飽和吸收區的電極之間相互獨立不相連。
8.根據權利要求7所述的半導體激光器，其特征在于，微腔與脊波導直接相連，或者在微腔與脊波導之間加入側邊電隔離區進行電隔離。
9.根據權利要求8所述的半導體激光器，其特征在于，在微腔與脊波導之間加入側邊電隔離區時，微腔上方設置有平面電極，環形微腔的電極與增益區的電極和飽和吸收區的電極之間相互獨立不相連。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光器，其特征在于，有源層采用應變量子阱和應變量子壘交替混合的多層量子阱結構；
有源層采用InGaAsP或AlInGaAs同一種材料不同組分生長或兩種材料交替生長形成光增益區；
應變量子阱的總厚度為8～12nm，應變量子壘的總厚度為8～12nm，應變量子阱和應變量子壘的應變值均在1%～1.2%之間。
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