[發明專利]解決封裝溢膠問題的無源器件砷化鎵貼膜方法及芯片

在審

• 申請號: 201810644904.6
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN108695227A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 吳現偉;龍華;陳曉哲;宣凱;郭嘉帥
• 申請（專利權）人: 上海飛驤電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 阮攀;劉國偉

1.一種解決封裝溢膠問題的無源器件砷化鎵貼膜方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

砷化鎵晶圓在完成線路等級制作后，以675um厚度儲存于高潔凈度晶圓庫通有氮氣的箱柜內，按照排程放料作業；

砷化鎵晶圓背面磨片減薄；

中測，是將砷化鎵晶圓進行功能測試、交流參數和直流參數測試，根據測試結果篩選合格的砷化鎵晶圓；

砷化鎵晶圓背面貼DAF膜；

紫外光照射，固化DAF膜；

砷化鎵晶圓切割劃片，切割后將形成一顆顆孤立的芯片和所述DAF膜貼合在金屬環內基膜表面；

包裝固定在金屬環內基膜表面上的已切割晶圓，運送至封裝廠；

貼裝砷化鎵芯片到框架貼片區；

烤箱固化，使所述DAF膜固化為玻璃態；

完成封裝后續流程。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高潔凈度晶圓庫為100級潔凈度晶圓庫。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化鎵晶圓背面磨片減薄，需放置在藍寶石平臺作業；所述砷化鎵晶圓背面磨片減薄的厚度為150um，偏差在±8um內。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化鎵晶圓襯底砷化鎵材料為單晶硅質，脆性易碎。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化鎵晶圓背面貼DAF膜，包括如下步驟：

先將固定在卷筒上的DAF膜安置在貼裝機固定位置；

通過固定滾輪將DAF膜與保護膜壓合在砷化鎵晶圓背面，所述滾輪通過氣缸來控制，所述氣缸的力的大小可以人為進行調節；針對150um厚度的單晶硅質砷化鎵晶圓，滾輪壓合力需保持在0.25Mpa到0.35Mpa之間，既能確保DAF膜與晶圓有效壓合，又不使砷化鎵晶圓被壓裂；

壓合完成后，將貼敷于DAF膜上的保護膜水平反向分離撕下；

固定DAF砷化鎵晶圓，將砷化鎵晶圓背面外露DAF膜的一面再次固定貼敷于金屬保護環的基膜上。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化鎵晶圓切割劃片，需要利用波長為355nm的激光在砷化鎵晶圓正面切割道位置進行三次激光切割；形成一顆顆孤立的芯片和DAF膜貼合在基膜表面。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述貼裝芯片到框架貼片區，包括如下步驟：

將晶圓固定金屬環加固在裝片設備特定位置并頂起環內貼有芯片的基膜；

通過頂針將單顆芯片背部頂起；

芯片上方塑性真空吸嘴分拾芯片傳送至金屬銅框架貼芯片位置，完成芯片與銅框架的初步貼合。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述烤箱固化，是將貼有芯片的銅框架傳送至高溫烤箱內經過130度20分鐘左右恒溫烘烤。

9.一種解決封裝溢膠問題的無源器件砷化鎵貼膜芯片，其特征在于，所述砷化鎵芯片背面貼有DAF膜，局部DAF膜與金屬銅框架支撐腳貼合，局部DAF膜處于懸空狀態。

10.根據權利要求9所述的無源器件砷化鎵貼膜芯片，其特征在于，所述砷化鎵芯片厚度為150um，偏差在±8um內。